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文檔簡介
1、隨著硅深亞微米集成電路的發(fā)展，MOS晶體管的頻率特性也逐步提高，MOS晶體管的fT值已經(jīng)超過100GHz。硅光電集成接收機開始活躍，硅基的光接收機的優(yōu)勢在于它有強大的各種功能的IC支持，價格也相對便宜，缺點是響應波長較短，響應速度相對也低。而在光存儲系統(tǒng)中和短距離內(nèi)多信道并行傳輸則不受這些缺點的限制?，F(xiàn)在國外對OEIC接收機仍然處于研究階段，因此開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)、用于光纖傳輸?shù)母咚偌呻娐穼ξ覈畔a(chǎn)業(yè)的發(fā)展和信息高速公路的建設具有
2、重大意義，而光接收機是其中最重要的一環(huán)。 要實現(xiàn)與標準CMOS兼容的OEIC接收機，要求有快速、低噪的探測器和高增益、寬帶和低噪的放大電路。因此，該文采用了帶有淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)的雙光電二極管(DPD)作為探測器；采用電流模負反饋放大器(CFA)作為接收機的前置放大器；采用有源電感放大器作為主放大器。 該論文的主要研究工作： 1)設計與標準CMOS工藝相容的帶STI結(jié)構(gòu)的DPD探測器。通過器件模擬把握DPD
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