電參數(shù)對(duì)磁控濺射純Cr鍍層沉積過(guò)程的影響.pdf

1、本文采用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍技術(shù)在不同的靶電壓、偏壓、占空比下制備了純Cr鍍層。通過(guò)原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)和X射線衍射儀(XRD)分析了純Cr鍍層的微觀組織形貌和擇優(yōu)生長(zhǎng)取向；采用四點(diǎn)探針測(cè)試儀測(cè)量了純Cr鍍層的方塊電阻；利用CH1660B電化學(xué)工作站(極化曲線)分析了純Cr鍍層耐腐蝕性能的變化。探討了電參數(shù)的變化對(duì)磁控濺射純Cr鍍層組織結(jié)構(gòu)的影響機(jī)理。研究結(jié)果表明：隨著靶電壓的

2、增大,純Cr鍍層的厚度和沉積速率顯著增大。300V靶電壓下純Cr鍍層為嵌入有納米晶的非晶組織結(jié)構(gòu),400V和500V靶電壓下純Cr鍍層均為柱狀晶結(jié)構(gòu)。純Cr鍍層的組織結(jié)構(gòu)隨著偏壓值的增大由柱狀晶向細(xì)小、致密等軸晶轉(zhuǎn)變,同時(shí)鍍層晶體擇優(yōu)生長(zhǎng)面由(200)晶面變?yōu)?110)晶面,耐腐蝕性能逐漸增強(qiáng)。隨著占空比的增大,純Cr鍍層的組織結(jié)構(gòu)由柱狀晶向均勻、細(xì)小納米晶轉(zhuǎn)變,純Cr鍍層的厚度和沉積速率相應(yīng)增大,同時(shí)純Cr鍍層沿(110)晶面的擇優(yōu)取