感應耦合等離子體增強射頻磁控濺射特性及其對沉積ZrN薄膜影響的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氮化鋯(ZrN)薄膜具有高硬度，高化學穩(wěn)定性等優(yōu)異性能，在很多領域有著誘人的應用前景。致密性是影響薄膜性能的重要因素之一，傳統(tǒng)的磁控濺射由于離化率低而難以沉積高致密度的薄膜。為了研究等離子體密度對薄膜致密性的影響，自建了感應耦合等離子體增強射頻平衡磁控濺射(ICPBMS)系統(tǒng)，將ICP(13.56MHz)技術結(jié)合到磁控濺射裝置上，獲得高密度等離子體，研究了ICPBMS等離子體特性及其對沉積ZrN薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響。
　　 研

2、究結(jié)果顯示：在相同功率和氣壓下，與ICP和磁控濺射各自單獨放電相比較，ICPBMS等離子體密度Ne提高1～6倍，達到1016～1017/ms，而且電子溫度Te不低于磁控濺射單獨放電；ICPBMS等離子體密度Ne和基片的離子流密度隨著ICP功率、基片偏壓和沉積氣壓的增大而增大，從而引起薄膜結(jié)構(gòu)和性能變化；SEM顯示，在ICP功率400W、偏壓-50V和基片溫度100℃的沉積條件下，所獲得薄膜中的柱狀晶體消失，表明高密度和高能量的離子流轟擊

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