InP基HBT及單片集成光接收機前端的理論與實驗研究.pdf

1、本文對InP基HBT及單片集成光接收機前端的理論與實驗進行了研究。主要內(nèi)容及結(jié)果如下： 1.從材料物理特性出發(fā)，分析了HBT的物理結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)。推導出各個參量的表達式，建立了HBT物理模型。 2.對適用于單片集成的DHBT的能帶結(jié)構(gòu)與結(jié)電流進行分析和研究。提出了一種新型復合集電區(qū)結(jié)構(gòu)，較好地解決了SHBT反向擊穿電壓低，DHBT電子堆積且與PIN探測器無法外延共享的問題。 3.針對本實驗室的工藝線，完成了2μm

2、InP基HBT及集成光接收機前端工藝條件的摸索與優(yōu)化。 4.成功研制了分立InP基HBT、PIN探測器及NiCr電阻。構(gòu)建了器件的測試系統(tǒng)，測試了分立器件的直流與高頻特性。 5.建立了HBT的大信號與小信號SPICE電路模型以及PIN探測器的高頻模型。 6.利用建立的HBT及PIN探測器的模型設計了多種形式的前端放大電路，使用高頻電路仿真軟件對電路進行直流及高頻的仿真。 7.成功研制出PIN-PD+HBT