激光作用下SiC晶須生長條件的研究.pdf

1、激光作為一種熱源，由于其具有的瞬態(tài)非平衡能量輸出機(jī)制以及作用在材料時(shí)的超快加熱效應(yīng)，近幾年在納米材料的制備中已有所應(yīng)用。當(dāng)激光照射材料時(shí)，在激光作用的三維空間內(nèi)，激光能量呈現(xiàn)出一定的梯度分布，使得在激光束作用下的粉體材料處于一個(gè)梯度溫度場內(nèi)，為材料的合成提供了條件。 本文以激光為熱源，以SiC納米顆粒材料為前驅(qū)體，進(jìn)行了激光照射下SiC納米顆粒原位生長晶須的試驗(yàn)，探索SiC晶須在激光照射下穩(wěn)定生長的條件及其生長過程。所完成的工作

2、主要有： 1．分析了平行光斑照射層的能量場。將激光輸出模式TEM01簡化成TEM00基模，建立了高斯分布的激光能量場模型。 2．對垂直光斑照射層進(jìn)行溫度分析，建立了溫度場。 3．采用被照射表面與光斑垂直的方式進(jìn)行SiC納米顆粒激光照射試驗(yàn)。對樣品進(jìn)行掃描電鏡分析，探索晶須的生長過程及晶須的生長條件。 4．在一定的激光參數(shù)下，比較未加粘結(jié)劑樣品和添加粘結(jié)劑樣品的晶須生長情況，進(jìn)而分析了粘結(jié)劑對晶須純度、生長