2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、用物理氣相輸運(Physics Vapor Transport)法生長的SiC單晶常常出現同質異晶型(polytypes)夾雜。由于異晶型間電學特性差異較大，使得SiC的應用受到限制。為此，研究SiC晶體生長過程中的晶型控制十分重要。
　　本文在探索SiC單晶生長工藝的基礎上，分析了異晶型產生的原因，討論了SiC異晶型的鑒別方法，并使用拉曼光譜(Raman Spectrum)以及電子衍射(Electron Diffraction)

2、技術對實驗晶片進行了晶型鑒別，提出了有效的晶型控制工藝。
　　論文獲得了以下主要結論:
　　1.選擇無同質異晶夾雜的晶片做籽晶;
　　2.選擇合適的原料和工藝條件以保持生長過程中恰當的Si/C比例;
　　3.為了保持生長面溫度恒定，需要實時調整測溫點的控制溫度;
　　4.為了保證生長面周向溫度均勻性，需要實時調整石英管局部區(qū)域的散熱;
　　5.為了保持生長腔內的溫度梯度恒定，需要實時調節(jié)坩堝與線圈的相

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