2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、4H-SiC因其載流子遷移率在各種α-SiC同質(zhì)異晶型中最高而成為開發(fā)SiC電力電子器件的主要材料。然而，由于其生長條件比較苛刻，采用PVT法生長的4H-SiC晶體中通常含有異晶型、堆垛層錯等缺陷，這嚴(yán)重影響了晶體的實際應(yīng)用。
　　 在本課題組已開發(fā)成功的6H-SiC晶體生長工藝基礎(chǔ)上，分別采用6H-SiC和4H-SiC晶片作為籽晶，成功開發(fā)了制備4H-SiC單晶體的基本工藝；同時利用拉曼光譜(Micro-Ramanspectr

2、oscopy)、透射電子顯微鏡(Transmissionelectronmicroscope)、光學(xué)顯微鏡等測試手段對4H-SiC生長樣品進行了分析，探討了晶體中各種缺陷的產(chǎn)生原因及其抑制方法。
　　 論文獲得的主要結(jié)論如下：
　　 1.以6H-SiC籽晶的C面為生長面，并在生長過程中摻入適量的高純氮氣可以轉(zhuǎn)型生長4H-SiC晶體；不過所獲得的晶體中往往含有異晶型夾雜、堆垛層錯、微管蔟等缺陷，這主要歸因于籽晶品質(zhì)、生長壓

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