4H-SiC輻照損傷分子動力學模擬初步研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩88頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、核技術的成敗取決于材料在反應堆強輻射場下的行為。作為核聚變堆候選材料,SiCf/SiC(SiC連續(xù)纖維增強SiC陶瓷基復合材料)已逐漸被先進核能系統(tǒng)接受,其抗輻照性能也正被廣泛研究。本文主要目的是采用分子動力學方法研究單晶SiC的輻照行為,目的是為SiCf/SiC復合材料提供基礎數(shù)據(jù)支持和理論參考。
　　本文使用基于分子動力學方法的LAMMPS軟件,建立4H-SiC單晶塊體的分子動力學模型,在原子尺度上對密排六方結構4H-SiC的

2、輻照級聯(lián)碰撞過程進行計算模擬,研究輻照級聯(lián)中微觀結構演變過程,探索輻照條件對各種點缺陷的影響規(guī)律。本文采用能量為10keV的Si初始離位原子作為入射粒子,輻照級聯(lián)模擬結果與文獻模擬結果吻合。此外,本文中也研究了一些可能影響輻照級聯(lián)的相關參數(shù),如時間步長、輻照溫度、PKA原子入射能量和入射方向并得到了相關結論。
　　基于上述4H-SiC單晶塊體模型,本文研究了輻照對4H-SiC單晶塊體模型力學性能的影響。結果表明不同拉伸方向上均可以

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論