4H-SiC厚膜外延工藝研究.pdf_第1頁(yè)
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1、近年來(lái) SiC高壓大功率器件的研究日益受到關(guān)注。制備幾千伏的SiC功率器件需要高質(zhì)量 SiC厚膜外延層，而現(xiàn)有的5μm/h的外延生長(zhǎng)速率已經(jīng)不能滿足生長(zhǎng)時(shí)間的要求。本文進(jìn)行了4H-SiC快速外延工藝的研究。通過(guò)改變生長(zhǎng)時(shí)間、生長(zhǎng)源流量、生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)氣壓以及載氣流量來(lái)研究這些生長(zhǎng)條件對(duì)生長(zhǎng)速率、厚度均勻性以及結(jié)晶質(zhì)量的影響。
　　本文使用水平熱壁低壓化學(xué)氣相淀積技術(shù)在2英寸偏4°的（0001）硅面N型導(dǎo)電4H-SiC襯底，對(duì)其在不

2、同生長(zhǎng)條件下進(jìn)行同質(zhì)外延生長(zhǎng)。FTIR厚度測(cè)試和X射線衍射的測(cè)試的結(jié)果表明：在SiH4流量為50 ml/min，載氣流量為70 L/min時(shí)，生長(zhǎng)速率最大，達(dá)到13.0μm/h；SiH4（C/Si比為1）流量為39 ml/min時(shí)，結(jié)晶質(zhì)量較好，XRD半高寬為16.3053 arcsec，厚度均勻性為0.32％，此時(shí)生長(zhǎng)速率為9.4771μm/h；生長(zhǎng)氣壓越低，XRD半高寬越小，結(jié)晶質(zhì)量越好。
　　通過(guò)結(jié)論分析，在快速生長(zhǎng)速率下，

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