4H-SiC外延材料缺陷的檢測(cè)與分析.pdf

1、本文通過化學(xué)腐蝕與掃描電子顯微分析相結(jié)合的方法對(duì)4H-SiC外延材料中的缺陷進(jìn)行了檢測(cè)與分析。目的是確定重復(fù)性好的4H-SiC腐蝕工藝，表征4H-SiC同質(zhì)外延層中缺陷的類型、分布、密度等參數(shù)。主要工作如下：
　　 第一，確定了化學(xué)腐蝕4H-SiC實(shí)驗(yàn)的流程，在該流程下，用本文確定的腐蝕參數(shù)可以得到較好的實(shí)驗(yàn)效果和觀測(cè)效果。通過正交實(shí)驗(yàn)確定了4H-SiC化學(xué)腐蝕工藝的三個(gè)最佳參數(shù)，腐蝕溫度470℃，腐蝕時(shí)間30分鐘，腐蝕劑為分析

2、純KOH。該工藝參數(shù)重復(fù)性好，能夠得到清晰的缺陷腐蝕形貌，達(dá)到了對(duì)4H-SiC材料中位錯(cuò)進(jìn)行檢測(cè)的目的。
　　 第二，對(duì)TED、TSD、BPD三種位錯(cuò)的腐蝕形貌的形成原因進(jìn)行分析；對(duì)TED、BPD位錯(cuò)排的形成原因進(jìn)行分析；說明堆垛層錯(cuò)本身產(chǎn)生的晶格畸變不大，并且與完整晶格結(jié)構(gòu)交界處為不全位錯(cuò)，所以用化學(xué)腐蝕的方法不能很好的確定堆垛層錯(cuò)的存在。
　　 第三，通過對(duì)腐蝕坑計(jì)數(shù)的方法，計(jì)算得到位錯(cuò)的面密度。沒有發(fā)現(xiàn)微管的腐蝕形