4H-SiC厚外延的生長研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SiC材料因為物理和電學特性優(yōu)異,是制備功率器件很有前途的一種材料。制造 SiC功率器件的關(guān)鍵之一,是在 SiC襯底上淀積一層低摻雜濃度的厚外延層。為了制造性能優(yōu)異的 SiC功率器件,本文使用 VP508設備對4H-SiC厚外延層的生長工藝進行了研究。
  主要研究進展有:
  1)SiC的折射率隨光波的頻率變化而變化,在2000cm-1之后趨于穩(wěn)定,在頻率2000cm-1附近選最近的相鄰兩峰,使不同峰值對應的 SiC的折射

2、率接近。由這種選峰方法計算出來的結(jié)果和由 SIMS測試的結(jié)果相比較,發(fā)現(xiàn)其測試偏差較小。
  2)在4°偏角的4H-SiC襯底上,分別研究了源氣體流量和載氣流量等工藝條件對外延層厚度的影響。對外延厚外延生長的影響依照重要因素依次為:源氣體流量、載氣流量、壓強、溫度。增大源氣體流量和減小載氣流量,均可以明顯地提高外延生長速率。生長溫度越高,生長速率越大,外延層的表面形貌越不好,缺陷也越多,壓強對于生長率的影響比較小。Si/H保持在0

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