SiC單晶生長設(shè)備加熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)及其仿真.pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的第一代材料Si和第二代材料GaAs由于本身結(jié)構(gòu)和特性的原因，在高溫、高頻、高功率等方面顯示出其不足和局限性，一系列新型的半導(dǎo)體材料如SiC、GaN、金剛石等越來越引起人們的重視。
　　 其中SiC材料以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，被看作是半導(dǎo)體領(lǐng)域最有前景的材料之一。碳化硅材料獨(dú)特的物理性能決定了其在人造衛(wèi)星、火箭、雷達(dá)、通訊、戰(zhàn)斗機(jī)、噴氣發(fā)動機(jī)等重要領(lǐng)域的應(yīng)用。

2、因此各發(fā)達(dá)國家都投入了大量的人力物力進(jìn)行相關(guān)技術(shù)研究，各種相關(guān)產(chǎn)品逐漸得到開發(fā)。
　　 SiC單晶制備的研究已成為目前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)，并已取得了長足的進(jìn)步，但距離大規(guī)模應(yīng)用還存在一定的距離。在面臨的技術(shù)難題中SiC單晶生長設(shè)備對SiC單晶的制備具有重要的影響，
　　 本論文依據(jù)SIC晶體生長工藝的要求，在多年研究工作的基礎(chǔ)上根據(jù)PVT法晶體生長特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了滿足晶體生長所用的石墨坩堝結(jié)構(gòu)、保溫機(jī)構(gòu)、感應(yīng)線圈的