高功率Ka波段功率放大器芯片設計.pdf

1、單片微波集成電路（MMIC）具有電路損耗小、噪聲低、頻帶寬、動態(tài)范圍大、功率大、附加效率高等一系列優(yōu)點，并可縮小電子設備的體積、減輕重量、價格也可降低不少，這些優(yōu)點對軍用電子裝備和民用電子產(chǎn)品都十分重要。本文所討論的高功率 Ka波段微波放大器芯片采用MMIC的方式來實現(xiàn)，主要應用于機載相控陣雷達的T/R組件上，是構(gòu)成機載相控陣雷達T/R組件的重要部件。
　　根據(jù) MMIC發(fā)展趨勢以及國內(nèi)實際情況，論文采用多級、多路合成的方法設計了

2、Ka頻段MMIC功率放大器，并針對Ka頻段單片功率放大器展開了研究，包括對制造工藝的有源器件和無源元件的介紹分析、晶體管熱設計、電路拓撲的選取、匹配電路和偏置電路的形式。最后在版圖調(diào)整規(guī)則下，對電路進行了仿真，確定了最終電路版圖。
　　論文實際利用0.13μm GaAs pHEMT工藝實現(xiàn)了一個頻帶寬度為2GHz的單片高功率放大器的仿真設計。設計好的電路分為三級，每級單路pHEMT的尺寸都是14×50μm，芯片版圖面積為3mm×6