Ku波段MMIC功率放大器的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文主要介紹的是Ku波段HEMT管MMIC功率放大器的電路設計，包括功率放大芯片的拓撲結構、偏置電路、匹配電路以及功率分配/合成網(wǎng)絡的設計。文章簡單描述了HEMT二維電子氣的形成機理，HEMT晶體管的電流-電壓、電容-電壓特性以及管芯的小信號和大信號模型，介紹了單片功率放大器的特點、主要性能參數(shù)。 論文利用0.25μm GaAs HEMT工藝實現(xiàn)了一個13～14 GHz單片功率放大器的仿真設計。該放大器采用三級放大的拓撲結構，

2、分別為增益放大級、驅動級、功率放大級。第一級HEMT柵寬為6×120μm，第二級和輸出級HEMT柵寬為8×160μm，芯片版圖面積為2.55mm×1.57mm。放大器三級均采用雙電源供電，漏極和柵極加偏置，工作于A類方式，以獲得最小的線性失真和最優(yōu)化的輸出功率。其中，輸出級的功率分配合成網(wǎng)絡選用了直接一分四的改進型Wilkinson功率分配合成網(wǎng)絡。仿真得到放大器在工作頻帶內(nèi)小信號增益為27dB以上，增益平坦度為0.4dB，輸入輸出電壓

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