GaAs HBT-MMIC功率放大器的設計.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩85頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、本文基于國家重大專項項目《新一代寬帶無線移動通信網(wǎng)》中子課題《面向IMT-Advanced等寬帶無線通信系統(tǒng)的射頻芯片、器件與模塊研發(fā)》，針對4G通信標準IMT-Advanced的應用設計了一款工作頻率在2.3GHz的MNnc功率放大器。
　　放大器采用GaAs HBT工藝，用兩級結構實現(xiàn)高增益、高輸出功率、高效率的目標。本文對功率放大器設計中的關鍵性問題分別進行了分析，并提出有效的解決措施。設計的自適應線性偏置電路為晶體管提供偏

2、置電壓的同時，還在高功率輸入情況下補償由此降低的功率管基極與發(fā)射極之間的電壓，保持了放大器的偏置點不變并且抑制了增益壓縮現(xiàn)象。偏置網(wǎng)絡中的溫度補償電路利用HBT功率器件的熱電負反饋特性，有效抑制了自熱效應導致的直流偏置點的溫漂現(xiàn)象和電流增益坍塌現(xiàn)象。通過在每個功率管的基極加上一個電阻電容并聯(lián)穩(wěn)定網(wǎng)絡，消除了晶體管潛在不穩(wěn)定因素，改善了電路的電學穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。為了更精確的仿真設計，對測試芯片的鍵合線建立了仿真模型。第一級功率放大器采用

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論