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1、單片微波集成電路（MMIC）具有電路損耗小、噪聲低、頻帶寬、動(dòng)態(tài)范圍大、功率大、附加效率高等一系列優(yōu)點(diǎn)，并可縮小電子設(shè)備的體積、減輕重量、價(jià)格也可降低不少，這些優(yōu)點(diǎn)對(duì)軍用電子裝備和民用電子產(chǎn)品都十分重要。本文所討論的高功率 Ka波段微波放大器芯片采用MMIC的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，主要應(yīng)用于機(jī)載相控陣?yán)走_(dá)的T/R組件上，是構(gòu)成機(jī)載相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的重要部件。
根據(jù) MMIC發(fā)展趨勢(shì)以及國(guó)內(nèi)實(shí)際情況，論文采用多級(jí)、多路合成的方法設(shè)計(jì)了
2、Ka頻段MMIC功率放大器，并針對(duì)Ka頻段單片功率放大器展開(kāi)了研究，包括對(duì)制造工藝的有源器件和無(wú)源元件的介紹分析、晶體管熱設(shè)計(jì)、電路拓?fù)涞倪x取、匹配電路和偏置電路的形式。最后在版圖調(diào)整規(guī)則下，對(duì)電路進(jìn)行了仿真，確定了最終電路版圖。
論文實(shí)際利用0.13μm GaAs pHEMT工藝實(shí)現(xiàn)了一個(gè)頻帶寬度為2GHz的單片高功率放大器的仿真設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)好的電路分為三級(jí)，每級(jí)單路pHEMT的尺寸都是14×50μm，芯片版圖面積為3mm×6
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