點狀籽晶法生長KDP晶體的位錯研究.pdf

1、KDP(KH<,2>PO<,4>)晶體是20世紀30-40年代發(fā)展起來的優(yōu)良的電光非線性光學材料廣泛應用于激光變頻、電光調(diào)制和光快速開關等領域。隨著KDP晶體的應用，要求晶體有較大的尺寸，高的激光損傷閾值，低的光學吸收，高的光學均勻性和高的透過率等。 KDP晶體的生長方法目前最常用的是水溶液降溫法，降溫法中根據(jù)晶體生長速度不同又可分為傳統(tǒng)慢速生長和點狀籽晶快速生長技術。本論文主要采用點狀籽晶法進行了KDP晶體生長實驗。點狀籽晶法

2、生長技術具有生長速度較快、晶體利用率高等優(yōu)點。KDP晶體在生長過程中往往不可避免會出現(xiàn)生長條紋、位錯、散射顆粒等品體生長缺陷，這在很大程度上限制了KDP晶體的應用。于是KDP晶體中的塵長缺陷研究成為KDP晶體研究的重點之一。由于KDP晶體中各類缺陷的成因比較復雜，因此對缺陷形成機理的研究對改進KDP晶體的生長工藝、提高質(zhì)量有著很大的意義。 本論文通過使用光學顯微鏡對點狀籽晶法生長的KDP晶體(100)面位錯蝕坑的觀察和分析，發(fā)現(xiàn)