新型晶體生長(zhǎng)裝置與KDP晶體快速生長(zhǎng).pdf

1、KDP(KH2PO4)晶體是應(yīng)用廣泛的光電功能晶體材料，采用水溶液方法生長(zhǎng)具有優(yōu)良的光電、非線性和壓電性能，其特點(diǎn)是大尺寸的單晶生長(zhǎng)比較容易、晶體光學(xué)質(zhì)量好、激光損傷閾值高，因而在激光技術(shù)中被廣泛用于制作倍頻、調(diào)制開(kāi)關(guān)和偏轉(zhuǎn)器等光學(xué)元器件，是目前唯一可用在激光受控?zé)岷司圩兗夹g(shù)中的非線性光學(xué)晶體材料。 溶液法是目前最常用的生長(zhǎng)KDP晶體的方法，溶液的穩(wěn)定性不僅是影響晶體光學(xué)質(zhì)量的一個(gè)重要因素，而且KDP晶體中的生長(zhǎng)條紋、包裹體、位

2、錯(cuò)等缺陷的形成都與其生長(zhǎng)過(guò)程中溶液的穩(wěn)定性有關(guān)。因而在KDP晶體快速生長(zhǎng)的過(guò)程中遇到的最大問(wèn)題是如何防止自發(fā)成核和保證晶體的完美生長(zhǎng)。 本論文采用水溶液降溫法，在錐形底生長(zhǎng)裝置中進(jìn)行點(diǎn)狀籽晶法快速生長(zhǎng)KDP晶體的實(shí)驗(yàn)，對(duì)KDP晶體生長(zhǎng)過(guò)程中溶液的穩(wěn)定性進(jìn)行分析研究，并使用光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡、等離子光譜等分析晶體的位錯(cuò)、包裹體、透過(guò)率等缺陷、性能與生長(zhǎng)工藝的關(guān)系，為進(jìn)一步改進(jìn)晶體生長(zhǎng)工藝及進(jìn)行KDP晶體的快速生長(zhǎng)的研究提供基礎(chǔ)。