氟硅酸鹽玻璃起泡缺陷的改進(jìn)性研究.pdf

1、氟硅酸鹽玻璃FSG是低k電介質(zhì)材料，其結(jié)構(gòu)最接近我們最熟悉SiO2。氟元素的介入在材料中使介電常數(shù)更低，但是這也正是氟化物整合問(wèn)題，因?yàn)楸娝苤姆磻?yīng)非常不穩(wěn)定而且易于與其它化合物發(fā)生反應(yīng)。常見(jiàn)的含氟氧化硅材料制造是用PE-CVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)方法從酸乙酯(TEOS-based)反應(yīng)液中獲取，或是用硅烷(SIH4)與SiF4在高密度等離子體沉積條件下反應(yīng)得到的．我們選擇了在0.18微米技術(shù)下的酸乙酯(TEOS-base

2、d)氟硅酸鹽玻璃FSG作為研究對(duì)象。 通過(guò)介紹氟硅酸鹽玻璃FSG的發(fā)展，性質(zhì)和形成的原理，以及0.18微米以下超大規(guī)模集成電路后段制造金屬互聯(lián)技術(shù)要求用更低電阻率金屬以及更低介電常數(shù)的絕緣材料，說(shuō)明氟硅酸鹽玻璃FSG作為半導(dǎo)體材料在超大規(guī)模集成電路制造上的廣泛應(yīng)用．并且由于氟化反應(yīng)非常不穩(wěn)定而且易于與其它化合物發(fā)生反應(yīng)通過(guò)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)的一些問(wèn)題，引出氟硅酸鹽玻璃FSG在0.18微米的制程中出現(xiàn)氣泡問(wèn)題，針對(duì)這樣的問(wèn)題我們是怎

3、幺樣去分析處理，通過(guò)應(yīng)用對(duì)比法，層別法，魚(yú)骨圖，以及劣化試驗(yàn)的手法，一步一步抽絲撥繭，找出真因的。并且進(jìn)一步采取方法改良制程工藝，提高產(chǎn)品良率的。 這篇論文基于的在真實(shí)生產(chǎn)過(guò)程中所遇到的問(wèn)題，和處理問(wèn)題時(shí)運(yùn)用一些方法論，通過(guò)大量的真實(shí)數(shù)據(jù)和對(duì)比試驗(yàn)，導(dǎo)出氟硅酸鹽玻璃FSG的特性和應(yīng)用方式，這個(gè)對(duì)于不同制程處理和解決問(wèn)題的都有一定的指導(dǎo)意義。通過(guò)這樣的分析我們更加明確的了解半導(dǎo)體制程工藝的問(wèn)題處理手段，并且更加的明確氟硅酸鹽玻璃F