表面修飾的CdSe半導(dǎo)體納米晶的制備及表征.pdf

1、半導(dǎo)體納米晶具有明顯不同于體相半導(dǎo)體材料的性質(zhì)，且可以通過適當(dāng)?shù)臈l件控制其大小、表面狀態(tài)以及組成，從而控制其發(fā)光等性能。CdSe是一種典型的化合物半導(dǎo)體材料，其納米粒子表現(xiàn)出很好的光致發(fā)光性能。CdSe納米晶發(fā)光顏色可以通過調(diào)節(jié)其粒徑大小而得到控制。納米粒子有相對(duì)大的表面體積比，在微粒的表面/界面會(huì)存在大量的缺陷、空位、懸掛鍵等構(gòu)成的表面態(tài)，這嚴(yán)重影響CdSe納米粒子的發(fā)光性能。如何對(duì)納米粒子的表面進(jìn)行修飾，改進(jìn)納米粒子的性能成為合成納

2、米粒子的一個(gè)方向。 本論文對(duì)半導(dǎo)體納米晶的概念、性質(zhì)、制備與表征方法以及發(fā)展現(xiàn)狀進(jìn)行了綜述。采用傳統(tǒng)化學(xué)方法中的膠體合成方法，在三辛基氧化膦(TOPO)和十六胺(HDA)的混合溶劑中制備了有機(jī)表面修飾的CdSe半導(dǎo)體納米晶。敘述了有機(jī)配體的包覆機(jī)制及作用。對(duì)整個(gè)反應(yīng)過程進(jìn)行了詳細(xì)的敘述和分析。用透射電鏡、x射線衍射儀、紫外可見光吸收光譜儀、熒光分光光度儀等對(duì)最終得到的CdSe納米晶進(jìn)行了表征。 本文在不同反應(yīng)時(shí)間和反應(yīng)溫

3、度下合成了一系列CdSe納米晶，并對(duì)得到的納米晶進(jìn)行了紫外吸收光譜和熒光光譜分析。隨著反應(yīng)溫度的升高所得到的CdSe納米粒子的吸收峰和熒光峰對(duì)應(yīng)的波長均發(fā)生藍(lán)移；隨著反應(yīng)時(shí)間的延長得到的納米晶的吸收和發(fā)射峰的位置紅移，根據(jù)吸收峰的紅移可以推斷出反應(yīng)時(shí)間越長得到的納米晶就越大。 在制備CASe納米晶的基礎(chǔ)上，對(duì)核殼結(jié)構(gòu)納米晶的制備進(jìn)行了初步的探索。以CdO為前驅(qū)物，用方便的一鍋法，制備了ZnSe包覆的CdSe/ZnSe核殼結(jié)構(gòu)納米