應用于lte的2.45ghz硅基包絡跟蹤功率放大器的設計_第1頁
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文檔簡介

1、Designof245GHzSiliconBasedEnvelopeTrackingPowerAmplifierforLTEApplicationsAThesisSubmittedtoSoutheastUniversityFortheAcademicDegreeofMasterofEngineeringBYZhuBihuiSupervisedbyProfessorLiZhiqunSchoolofIntegratedCircuitsSou

2、theastUniversityMarch2015摘要摘要在現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)中，為了實現(xiàn)高數(shù)據傳輸速率，通常采用復雜且頻譜利用率高的調制方式。這些調制信號通常是具有高峰均功率比(PeaktoAveragePowerRatio，PAPR)的非恒包絡信號，這將帶來功率放大器的低效率。為了提高效率，提出了包絡跟蹤功率放大器架構。由于其在很寬的功率范圍內具有高效率的特征，非常適用于近幾年發(fā)展的LTE移動通信中。本文設計了應用于LTE的包絡跟蹤功

3、率放大器。該功率放大器采用0189mSiGeBiCMOS工藝，工作頻率為2425GHz。整個包絡跟蹤功率放大器由一個線性AB類功率放大器和一個寬帶高效率包絡調制器組成。包絡調制器根據輸入信號幅度的大小來動態(tài)調整功率放大器的供電電壓以提高效率。AB類功率放大器采用偽差分結構，以降低接地鍵合線寄生電感的影響，同時采用Cascode結構以解決晶體管的耐壓問題。輸入輸出匹配網絡采用片外元件實現(xiàn)以減小損耗。在輸入為正弦信號的后仿真中，AB類功率放

4、大器在5V電源電壓下的輸出ldB壓縮點達到2804dBm，飽和輸出功率達到3106dBm，功率附加效率(PAE)高達4264％。在輸入為LTE16QAM5MHz信號的后仿真中，包絡跟蹤功率放大器平均輸出功率達到2467dBm，效率達到2422％。本文設計的包絡跟蹤功率放大器功能正確，效率高。經過進一步優(yōu)化可以應用于LTE移動通信手持設備中。關鍵詞：包絡跟蹤功率放大器，包絡跟蹤，包絡調制器，AB類功率放大器，效率增強，SiGeBiCMOS

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