應用于GSM通信的AB類功率放大器設計.pdf

1、射頻功率放大器在無線通信系統(tǒng)中起著至關重要的作用，是實現(xiàn)通信寬帶化和高速化的關鍵性技術，正向著更高功率、更高增益、以及更高頻率特性的方向發(fā)展。SiGe HBT工藝具有更低的價格、更高質量的氧化層、良好的襯底熱傳導率、以及屬于 Si基電路的特性，可實現(xiàn)包括 PA在內的RF電路與基帶電路的集成，實現(xiàn)真正的單片射頻收發(fā)器，逐漸被用于中等輸出功率的設計。
　　基于 GSM系統(tǒng)對功率放大器線性度與較高輸出功率的要求，同時兼顧輸出功率和功率附

2、加效率（PAE），論文選擇使用 AB類線性功率放大器結構。
　　論文采用兩級共射極結構，設計了一款中心頻率為870MHz，應用于 GSM通信的AB類功率放大器，其主要結構包括輸入匹配、極間匹配、輸出匹配。由于射頻功率器件容易出現(xiàn)不穩(wěn)定而發(fā)生自激燒毀的情況，因此為保證放大器的穩(wěn)定性，同時也保證增益和功率附加效率，論文在功率放大器結構設計中加入了RC反饋網(wǎng)絡。主要做的研究工作是根據(jù)設計指標要求進行功放產(chǎn)品的調研選用最適合此次設計的功放

3、結構，進行 AB類功率放大器設計相關文獻查詢確定電路的基本結構，在基本電路結構基礎上加入優(yōu)化電路的設計，并根據(jù)搭建的電路進行前仿真、版圖設計、后仿真、流片和測試。
　　論文所設計的功率放大器在上海華虹—NEC SiGe HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）大功率集成電路0.18μm工藝下實現(xiàn)，芯片總面積為2mm*1mm。測試結果表明，單級功率放大器工作在3.3V電壓下，增益為10dB，最大輸