應(yīng)用于GSM-TD-SCDMA的射頻功率放大器的研究與設(shè)計.pdf

1、隨著無線通信技術(shù)的飛速發(fā)展和移動互聯(lián)網(wǎng)的逐步部署以及用戶需求的日益提高，逐漸要求無線收發(fā)機具有多模的功能。一般來說，一個多模收發(fā)機通常要求采用多個PA，而采用多模功率放大器代替多個功率放大器則有著很好的市場前景。
　　 在當前市場上，手機用PA大都是采用GaAs工藝。如果采用SiGe BiCMOS工藝或CMOS工藝代替GaAs工藝可得到較高性價比的PA，不僅可以降低成本，還可以提高產(chǎn)品的集成度。
　　 本文首先介紹了在功

2、率放大器設(shè)計中所涉及到的各種器件的模型，包括HBT模型、集成無源器件模型和分立無源器件模型;然后詳細介紹和分析了功率放大器有關(guān)的理論，諸如傳統(tǒng)功率放大器的理論、開關(guān)功率放大器理論、匹配理論、功率放大器的非線性分析以及功率放大器的拓撲結(jié)構(gòu)。在這些理論基礎(chǔ)上，完成了射頻功率放大器模塊的設(shè)計。
　　 本文基于GSMC0.18μm SiGe BiCMOS工藝設(shè)計了一個應(yīng)用于GSM和TD-SCDMA系統(tǒng)的功率放大器模塊，完成了從電路設(shè)計、

3、版圖設(shè)計、仿真到最后芯片鍵合測試的所有工作。第一次流片的測試結(jié)果顯示兩個通路的功率放大器，其中心頻率分別從900MHz和1900MHz偏移到548MHz和862MHz;最大輸出功率分別為23.19dBm，18.56dBm;增益分別為10dB和15dB，測試結(jié)果較后仿真結(jié)果有一些區(qū)別。分析其原因，一方面是因為我們第一次使用GSMC0.18μm SiGe BiCMOS工藝;另外一方面該工藝是宏力半導(dǎo)體公司剛推出不久，器件模型方面也不是很準確