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1、激光制備薄膜技術(shù)——薄膜性能控制,【先導(dǎo)篇】*什么是激光制備薄膜技術(shù)激光器所產(chǎn)生的高功率脈沖激光束聚焦作用于靶材料表面,使靶材料表面產(chǎn)生高溫及熔蝕,并進一步產(chǎn)生高溫高壓等離子體,這種等離子體定向局域膨脹發(fā)射并在襯底上沉積而形成薄膜。,*為什么要采用激光技術(shù) 1. 易獲得期望化學(xué)計量比的多組分薄膜,即具有良好的保成分性; 2. 沉積速率高,試驗周期短,襯底溫度要求低,制備的薄膜均勻; 3. 對靶材的種類沒有限制; 4. 便于
2、清潔處理,可以制備多種薄膜材料; 5. 極大的兼容性,多層膜。,*如何制備的呢四個典型的特征階段來加以描述。第一個階段為激光能量輸人,靶面溫度急劇升高;第二個階段為表面熔化,靶材氣化;第三個階段為多光子電離,等離子體產(chǎn)生;第四個階段為等離子體的發(fā)射、碰撞及其擴展。擴展等離體到達樣品表面,即完成鍍膜過程。,技術(shù)難點附著力,影響附著力的工藝因素 工藝因素很多,其中主要有:基片材料性質(zhì)、基片表面狀態(tài)、基片溫度、沉積方式、
3、沉積速率等關(guān)鍵點:在薄膜對基片的附著中,普遍存在著范德華力,但這種力較弱。要形成牢固的附著,需要在薄膜和基片間形成化學(xué)鍵。,*基片的表面狀態(tài)基片的表面狀態(tài)對附著力的影響也很大。如果基片不經(jīng)過清潔處理,將在其表面上有一個污染層。它可能是吸附的氣體層,也可能是油脂分子層。由于吸附層已經(jīng)使基片表面的化學(xué)鍵達到飽和,故沉積上薄膜以后,膜的附著力很差。因此在制膜工藝中,為了提高附著性能,必須先對基片進行清潔和活化處理。一般采用超聲波清洗,氣刃
4、吹干或烘干機烘干。,*基片材質(zhì)在玻璃基片上沉積的金膜附著力就很差。但是在鉑、鎳、鈦等金屬基片上沉積的金膜附著就很牢。這是因為在后種情況下,金膜和基片之間形成了金屬鍵。從這里看出,要使薄膜附著牢固,需要選用合適的基片,以使基片能與薄膜材料或其氧化物形成化學(xué)鍵。選擇基體與薄膜材料晶格結(jié)構(gòu)相近。,*基片溫度提高基片溫度,在沉積薄膜時,適當提高基片溫度有利于薄膜和基片間原子的相互擴散。并且會加速化學(xué)反應(yīng),從而有利于形成擴散附著和通過中間層
5、的附著,所以附著力增大。但是,基片溫度過高,會使薄膜晶粒粗大,增加膜中的熱應(yīng)力,從而影響薄膜的其他性能。,*高激光能量提高激光能量,高能粒子轟擊還有利于原子的擴散。在鍍膜工藝中,隨著激光強度的提高,等離子體中高能粒子增多,因此,薄膜的附著增強。但激光能量過大,可能會造成沉淀顆粒較大,鍍膜不均勻,表面光潔度下降。,*靶材與基片的距離太遠時,等離子體羽輝尾部的離子能量低,易復(fù)合生成大顆粒;當他們距離太近時,等離子體羽輝內(nèi)部能量大、速度
6、快的離子,使薄膜表面產(chǎn)生孔洞或裂痕,破壞薄膜的表面形貌,對附著力有害。,羽輝,*激光頻率激光頻率影響沉積速率,速率太高時沉積在膜上的顆粒還未運動開來,下一批濺射的顆粒已落下來,因而相對減少了真空室中殘留氧分子的入射幾率,結(jié)果在薄膜與基片界面上生成的氧化物過渡層減少,導(dǎo)致薄膜的附著力下降。這樣就會造成堆積從而形成不均勻膜,附著力下降;頻率太低時,間隔時間長雜質(zhì)就會進入薄膜,降低膜的質(zhì)量。此外,高速沉積的薄膜結(jié)構(gòu)疏松,內(nèi)應(yīng)力較
7、大,這可能導(dǎo)致膜基界面腐蝕和失效,進而脫落。附著性能變差。,過渡層(氧化物),*入射角度在沉積薄膜時,若是入射原子對基片斜入射,會產(chǎn)生柱狀結(jié)構(gòu),出現(xiàn)陰影效應(yīng)(即基片表面的柱狀結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致有些地方成為鍍敷的“盲區(qū)” ),從而使薄膜結(jié)構(gòu)疏松,微孔很多,最后導(dǎo)致附著性能降低。本課題采用的激光沉積薄膜方法中,從靶材表面噴射出來的等離子體是沿靶法線方向運動的,粒子濺射的方向很容易調(diào)節(jié),因此可以避免斜入射發(fā)生。,可能形成盲區(qū),*沉積方式對薄膜附著
8、力的影響非常明顯。對于同樣的材料,用濺射方法沉積的薄膜一般比用蒸發(fā)方法制造的薄膜附著牢。這是因為濺射時往往有高能粒子轟擊基片表面,從而有利于排除表面吸附的惰性氣體、增加表面活性。除此以外,高能粒子轟擊還有利于原子的擴散。在磁控濺射工藝中,隨著濺射電壓的提高,濺射束中高能粒子增多,因此,薄膜的附著增強。,基片的表面狀態(tài)——妨礙沉積——消除 基片材質(zhì) ——界面特性——擇優(yōu) 基片溫度 ——粒子能量——
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