ccd傳感器-2

1、CCD圖像傳感器,,電荷耦合器件,電荷耦合器件(charge—Coupled Devices)簡稱 CCD，是1970年由美國貝爾實驗室首先研制出來的新型固體器件。作為MOS技術(shù)的延伸而產(chǎn)生的一種半導體器件。,Fig.1貝爾實驗室George Smith和Willard Boyle將可視電話和半導體泡存儲技術(shù)結(jié)合發(fā)明了CCD原型,Fig.2 現(xiàn)代CCD芯片外觀,CCD作為一種多功能器件，有三大應用領(lǐng)域：攝像、信號處理和存貯。特別是在攝像

2、領(lǐng)域，作為二維傳感器件， CCD與真空攝像器件相比，具有無灼傷，無滯后，體積小，低功耗、低價格、長壽命等優(yōu)點。,廣播級電視攝像機中， CCD攝像機可與真空器件攝像機“平分秋色”。而在閉路電視、家庭用攝像方面， CCD攝像機則呈現(xiàn)出“一統(tǒng)天下”的趨勢。在工業(yè)、軍事和科學研究等領(lǐng)域中的應用，如方位測量、遙感遙測、圖像制導，圖像識別等方面更呈現(xiàn)出其高分辮力，高準確度，高可靠性等突出優(yōu)點。,CCD攝像機技術(shù)的發(fā)展趨勢及應用前景,由于CCD攝像

3、機所具有的各種突出優(yōu)點，所以從發(fā)明至今僅20多年其發(fā)展速度驚人。近10年來，CCD攝像機的應用已深入到各個領(lǐng)域，可以說是跨行業(yè)、跨專業(yè)多方面應用的一種光電產(chǎn)品。它的用量以每年20%的速度遞增。具不完全統(tǒng)計，1997年—1998年僅中國大陸彩色和黑白CCD攝像機的用量就達60-70萬臺，這些產(chǎn)品大多數(shù)來自國外或者由臺灣地區(qū)和國內(nèi)組裝。從1998年日本出版的《技術(shù)市場》雜志獲悉,世界上已把CCD列為未來10年可能增益100倍的高技術(shù)產(chǎn)品.據(jù)

4、國外專家統(tǒng)計,1997年CCD世界市場規(guī)劃為16億美元,而實際上1997年為50億美元,1998年為65億美元.日本松下公司對CCD攝像機的世界市場進行了統(tǒng)計和預測,如表1所示。,一、概述,由于CCD攝像機所具有的各種突出優(yōu)點，所以從發(fā)明至今僅40多年其發(fā)展速度驚人。近10年來，CCD攝像機的應用已深入到各個領(lǐng)域，可以說是跨行業(yè)、跨專業(yè)多方面應用的一種光電產(chǎn)品。它的用量以每年20%的速度遞增。,一、概述,CCD攝像機應用領(lǐng)域的發(fā)展趨勢

5、1、CCD攝像機的應用領(lǐng)域    CCD攝像機應用領(lǐng)域在不斷的擴展，應用技術(shù)的深化又促進CCD攝像機的多樣化產(chǎn)品的生產(chǎn)?？傮w有MOBILE、PUBLIC、HOME三個方面，其中有：,（1）Camcorder攝錄一體化CCD攝像機。（2）TV phone,（3）PC camera到21世紀初葉，隨著電腦網(wǎng)絡系統(tǒng)的發(fā)展，PC Camera作為電腦前端和圖像輸入系統(tǒng)，CCD攝像機將以不可阻擋的發(fā)展勢頭深入到

6、各種電腦應用的方方面面，也會很快進入家庭。借助電腦網(wǎng)絡，實現(xiàn)音、視頻同步遠程通訊。到2000年，我國PC機年銷量為1056萬臺，僅按計算機配套率20%估算，PC camera的需求量將為211.2萬臺。,（4）Door phone隨著住宅商品化，各種現(xiàn)代化住宅樓像雨后春筍般撥地而起，民用住宅的安全防范已提到日程上來，許多住宅可在室內(nèi)及時地看到來訪客人的實時圖像和室外局部區(qū)域的情況，也為防范壞人入室作案起到有效的監(jiān)控作用。,（5）Scan

7、ner由于計算機網(wǎng)絡的普及，所以為了提高各種資料、文字的輸入速度，可采用各種掃描儀，讀取經(jīng)過文字識別的資料，可將讀入的文字資料轉(zhuǎn)換成文件存入計算機進行編輯，以便在網(wǎng)絡上交流。按PC機配套率10%計算，可需線陣和面陣CCD傳感器105.6萬臺。,（6）Bar Code Register（BCR）條形碼記錄器在各種商業(yè)流通領(lǐng)域如商場、倉儲連鎖店等普遍采用。條形碼物品記錄識別系統(tǒng)與計算機聯(lián)網(wǎng)可隨時取得各種數(shù)據(jù)。（7）Medical醫(yī)用顯微內(nèi)

8、窺鏡利用超小型的CCD攝像機或光纖圖像傳輸內(nèi)窺鏡系統(tǒng)，可以實現(xiàn)人體顯微手術(shù)，減小手術(shù)刀口的尺寸，減小傷口感染的可能性，減輕病人的痛苦。同時還可進行實時遠程會診和現(xiàn)場教學。,（8）Vehicle Camera在各種車輛中加裝CCD攝像機可以使駕駛?cè)藛T借助車內(nèi)CCD攝像機、車上的后視鏡系統(tǒng)和駕駛員前面的顯示器，不僅可隨時看到車內(nèi)的情況，而且可在倒車時觀察后面的道路情況，在向前行進過程中也能隨時看到后方車輛所保持的距離，提高了行車安全。,（9

9、）Closed Circuit Television（CCTV）CCTV是近幾年被大家廣泛注意的電視監(jiān)控系統(tǒng)，目前，已發(fā)展成為一種新的產(chǎn)業(yè)。以CCD攝像機為主要前端傳感器，帶動了一系列各種配套的主機和配套設(shè)備以及傳輸設(shè)備的研制和生產(chǎn)企業(yè)。,（11）Personal Data Assistant（PDA）個人數(shù)據(jù)秘書系統(tǒng)是一種體積小于筆記本的電腦，是功能齊全的計算機系統(tǒng)，可以完成多種數(shù)據(jù)管理功能，并可借助移動電話上的Internet網(wǎng)進行

10、遠程傳送資料、發(fā)傳真等。,（12）Digital Signal Camera（DSC）數(shù)碼照相機是近兩三年投放市場的一種新型照相機。由CCD傳感器采集的圖像信號經(jīng)過數(shù)字處理后，可被記錄在磁卡上，由計算機讀取磁卡上的圖像數(shù)據(jù)再現(xiàn)出圖像，并可借助各種圖像處理軟件進行圖像編輯和圖像處理。,1 CCD的物理基礎(chǔ),CCD是基于 MOS(金屬—氧化物—半導體)電容器在非穩(wěn)態(tài)下工作的一種器件。因此，必須了解 MOS電容器的穩(wěn)態(tài)和非穩(wěn)態(tài)工作及其與

11、CCD的關(guān)系。,1.1 穩(wěn)態(tài)下的 MOS電容器 (一)理想 MOS系統(tǒng),半導體作為底電極，稱為“襯底”。襯底分為 P型硅襯底和 N型硅襯底。大多數(shù) CCD選用 P型硅襯底。下面以 P型硅襯底 MOS電容器為參照進行說明。,MOS電容器的狀態(tài)是隨柵極電壓 VG的變化而不同的。在 VG為零時， Si表面沒有電場的作用，其載流子濃度與體內(nèi)一樣。 Si本身呈電中性，電子能量從體內(nèi)到表面都相等，所以能帶是平坦的，不存在表面空間電荷區(qū)。這

12、種狀態(tài)稱為 “平帶狀態(tài)”。,1． VG ＜0的多數(shù)載流子積累狀態(tài)當在金屬柵極上加上直流負偏壓，即 VG ＜0時，電場使 Si內(nèi)一部分可移動空穴集中到 Si—SiO2界面，在 Si表面形成多數(shù)載流子積累層。這種狀態(tài)稱為“積累狀態(tài)”。當達到熱平衡時， VG的一部分降落在 SiO2層內(nèi)，其余部分將作用于半導體表面而引起表面勢Vs。由于Vs ＜0，則-eVs ＞0，表面處能帶向上彎曲，從而導致表面附近的價帶中比體內(nèi)有更多的空穴，使表面呈

13、現(xiàn)強 P型。,為了保持 MOS系統(tǒng)的電中性條件，金屬柵極上的負電荷與半導體積累層中的正電荷正好相互補償。但金屬的費米能級與半導體的費米能級并不 相等，即EFM ≠EFS ，其差值正好是 VG與電子電荷的乘積。,2． VG ＞0的多數(shù)載流子耗盡狀態(tài) 當在柵電極上加上 VG ＞0的小電壓時， P型襯底中的空穴從界面處被排斥到襯底的另一側(cè)，在 Si表面處留下一層離化的受主離子，這種狀態(tài)稱為多數(shù)載流子“耗盡狀態(tài)”。這種情況相當于 MOS

14、電容器充負電。,該充電區(qū)域(空間電荷區(qū))稱為耗盡層。此時表面勢 VS＞0，則-e VS＜0，表面處能帶向下彎曲。,3． VG＞Vth＞0的反型狀態(tài) 在上述基礎(chǔ)上正電壓 VG進一多增加，表面處能帶相對體內(nèi)進一步向下彎曲，當 VG超過某一閾值時，將使得表面處電子濃度超過空穴濃度，已由 P型變?yōu)?N型。這種情況稱之為“反型狀態(tài)”。而從圖中還可看出，反型層到半導體內(nèi)部之間還夾有一層耗盡層。,從圖中的能帶看到，對表面反型層的電子

15、來說，一邊是 SiO2絕緣層，它的導帶比半導體高許多。另一邊是彎曲的導帶形成的一個陡坡，其代表由空間電荷區(qū)電場形成的勢壘。,所以，反型層中的電子實際上是被限制在表面附近能量最低的一個狹窄區(qū)域。因此，常稱反型層為溝道。 P型半導體的表面反型層是由電子構(gòu)成的，所以稱為 N溝道。反之， N型半導體稱為 P溝道。,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,u0,10V,10V,UG=5V,UG=10V,UG=15V,空勢阱,填充1

16、/3勢阱,全滿勢阱,MOS電容存儲信號電荷的容量為：Q=Cox?UG?A,二、電荷耦合假定開始有一些電荷存儲在偏壓為20V的第二個電極下面的勢阱里，其他電極上均加有大于閾值得較低電壓（例如2V）。設(shè)a圖為零時刻，經(jīng)過一段時間后，各電極的電壓發(fā)生變化，第二個電極仍保持10V，第三個電極上的電壓由2V變?yōu)?0V，因這兩個電極靠的很近（幾個微米），它們各自的對應勢阱將合并在一起。原來在第二個電極下的電荷變?yōu)檫@兩個電極下勢阱所共有。如圖b＆c

17、。若此后第二個電極上的電壓由10V變?yōu)?V，第三個電極電壓仍為10V，則共有的電荷轉(zhuǎn)移到第三個電極下的勢阱中，如圖e。由此可見，深勢阱及電荷包向右移動了一個位置。,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,a,,存有電荷的勢阱,b,2V,10V,2V10V,2V,2V,10V,10V,2V,2V,10V2V,10V,2V,2V,2V,

18、10V,2V,c,d,e,f,Ф1,Ф2,Ф3,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,+5V0V-5V,+5V0V-5V,+5V0V-5V,,,,,Time-slice shown in diagram,,,1.4 Charge Transfer,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,+5V0V-5V,+5V0V-5V,+5V0V-5V,,,

19、,,,1.4 Charge Transfer,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,+5V0V-5V,+5V0V-5V,+5V0V-5V,,,,,,1.4 Charge Transfer,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,+5V0V-5V,+5V0V-5V,+5V0V-5V,,,,,,1.4 Charge Transfer,,,,,,,,,,,,,,+5V0

20、V-5V,+5V0V-5V,+5V0V-5V,,,,,,1.4 Charge Transfer,,,,,,,,,,,,,,+5V0V-5V,+5V0V-5V,+5V0V-5V,,,,,,,Charge packet from subsequent pixel entersfrom left as first pixel exits to the right.,,,1.4 Charge Tra