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文檔簡介
1、第一章第一章半導(dǎo)體材料及二極管半導(dǎo)體材料及二極管習(xí)題類型習(xí)題類型11半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性；12～1.9簡單二極管電路的分析、計(jì)算；110、111二極管限幅電路的分析、計(jì)算；112～1.16穩(wěn)壓二極管電路的分析、計(jì)算；117、118穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路的設(shè)計(jì)。1.1某N型Si材料的施主密度cm3。在T=300K和T=550K時(shí)Si的本征濃度分別為cm3和1015cm3。計(jì)算在這兩種溫度下的自由電子濃度和空穴濃度，并說明材料導(dǎo)電特性的變化。解：（
2、1）T=300K，肯定成立cm3，cm3。（2）T=550K，應(yīng)聯(lián)立求解和。將，代入上二方程可得：由上式解出cm3cm3。結(jié)論：在T=300K時(shí)，，材料呈現(xiàn)雜質(zhì)導(dǎo)電特性。在T=550K時(shí)，，材料已呈現(xiàn)本征導(dǎo)電特性。1.2當(dāng)T＝300K時(shí)，Ge和Si二極管的反向飽和電流分別為1μA和0.5pA。如果將此兩個(gè)二極管串聯(lián)連接，有1mA的正向電流流過，試問它們的結(jié)電壓各為多少？解：，兩管已充分導(dǎo)通，故伏安關(guān)系近似為，由此，取mV（T=300K）
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