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文檔簡介
1、2000年某省高等職業(yè)技術(shù)教育招收中等職業(yè)學(xué)校畢業(yè)生統(tǒng)一考試電子線路試題及參考答案一、單項(xiàng)選擇題(在下列各題的四個(gè)選項(xiàng)中,只有一項(xiàng)是最符合題意的。本大題共35小題,每小題2分,共70分)1在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,少數(shù)載流子的濃度主要取決于()A摻雜工藝B溫度C雜質(zhì)濃度D晶體缺陷2在半導(dǎo)體材料中,其正確的說法是()AP型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體材料本身都不帶電。BP型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為空穴,所以它帶正電。CN型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為自由電子
2、,所以它帶負(fù)電。DN型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為空穴,所以它帶負(fù)電。3由理想二極管組成的電路如圖1所示,其A、B兩端的電壓為()A–12VB6VC–6VD12V4使用萬用表直流電壓擋,測得電路中晶體管各極相對于某一參考點(diǎn)的電位如圖2所示,從而可判斷出該晶體管工作在()A飽和狀態(tài)B放大狀態(tài)C截止?fàn)顟B(tài)D倒置狀態(tài)5對于圖3所示復(fù)合管,設(shè)rbe1和rbe2分別為T1、T2管的輸入電阻,則復(fù)合管的輸入電阻rbe為()Arbe=rbe1Brbe=r
3、be2Crbe=rbe1(1?)rbe2Drbe=rbe1rbe26在圖4電路中,設(shè)c1、c2對交流信號影響可忽略不計(jì)。當(dāng)輸入f=1kHz的正弦電壓信號后,用示波器觀察Vi和Vo,則二者相位關(guān)系為()A相差90B相差45C同相D相差1807為了減小溫漂,通用型運(yùn)放的輸入級大多采用()A共射電路B差分放大電路COCL電路(互補(bǔ)對稱電路)D共集電路8差分放大電路用恒流源代替長尾電阻Re是為了()A提高共模電壓放大倍數(shù)B提高差模電壓放大倍數(shù)C
4、提高差模輸入電阻D提高共模抑制比9測得放大電路的開路電壓放大倍數(shù)為6V,接入2k?負(fù)載電阻后,其輸出電壓降為4V,則此放大器的輸出電阻Ro為()ARo=1K?BRo=2K?CRo=4K?DRo=6K?10電路如圖5所示,設(shè)集成電路具有理想的特性,電阻R2=10K?,當(dāng)R1的阻值為下列哪種情況時(shí),可以產(chǎn)生較好的正弦波振蕩。()AR1=4.7K?(可調(diào))BR1=10K?4.7K?(可調(diào))CR1=15K?4.7K?(可調(diào))DR1=18K?4.
5、7K?(可調(diào))11電路如圖6所示,其輸出電壓V0為()AV0=2VBV0=1VCV0=3VDV0=4V12分壓式共射放大電路如圖7所示。若更換管子使?由50變?yōu)?00,則電路的電壓放大倍數(shù)()A約為原來的0.5倍B約為原來的2倍C基本不變D約為原來的4倍13在OCL電路中,引起交越失真的原因是()A輸入信號大B晶體管?過大C電源電壓太高D晶體管輸入特性的非線性14電路如圖8所示,運(yùn)放具有理想特性,其輸入電阻為()A1k?B2k?C10k
6、?D?15某場效晶體管的轉(zhuǎn)移特曲線如圖9所示,該管為()AP溝道強(qiáng)制型MOS管BN溝道結(jié)強(qiáng)型MOS管CN溝道結(jié)型MOS管DN溝道耗盡型MOS管圖1圖2圖3圖4圖5圖6圖7二、雙項(xiàng)選擇題(在下列各題的四個(gè)選項(xiàng)中,只有兩項(xiàng)是最符合題意的。本大題共30小題,每小題2分,共60分)36二極管兩端所加的反向電壓增大時(shí),將會使得()A阻擋層變寬B阻擋層變窄C反向電流變小D反向電流基本不變37在晶體管放大電路中,測得管子各極的電位如圖13所示。為NP
7、N型晶體管的是()圖1338晶體管用來放大時(shí),應(yīng)滿足的外部條件是()A發(fā)射結(jié)反偏B發(fā)射結(jié)正偏C集電結(jié)正偏D集電結(jié)反偏39當(dāng)溫度升高時(shí),半導(dǎo)體三極管各參數(shù)的變化趨勢是()A?值變小B?值變大C穿透電流變大D穿透電流變小40增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓應(yīng)是()AP溝道增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓為正值BP溝道增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓為負(fù)值CN溝道增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓為正值DN溝道增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓為負(fù)值41射極輸出器具有的特點(diǎn)是()A輸入
8、電阻高B輸入電阻低C輸出電壓放輸入電壓同相D輸出電壓和輸入電壓反相42在圖14所示電路中,能正常放大信號的電路是()圖1443在圖15所示電路中,其輸入電阻Ri和輸出電阻Ro分別是()ARi=Rb(ReRL)BRi=Rb[rbe(1?)(ReRL)]CRo=ReRLDRo=Re[rbe(1?)]?Rbe(1?)44電路如圖4所示,要使靜態(tài)時(shí)的VCE增大,可采用的方法是()A增大RbB減少RbC增大RLD減小RL45在圖7所示的電路中,穩(wěn)
9、定靜態(tài)工作點(diǎn)的措施是()ARb1、Rb2的阻值很大B使基極電位基本不變C取較大的RoD取較大的Rc46電路如圖16所示。其直流負(fù)載線為MN,靜態(tài)工作點(diǎn)為Q,當(dāng)分別減小Rc的阻值和增大電壓時(shí),對負(fù)載線和工作點(diǎn)的影響是()A減小Rc負(fù)載線為MA,工作點(diǎn)移向Q1B減小Rc負(fù)載線為MB,工作點(diǎn)移向Q3C增大VCC負(fù)載線為CD,工作點(diǎn)移向Q2D增大VCC負(fù)載線為EF,工作點(diǎn)移向Q447為了盡量減小向信號源取用的信號電流并且有較強(qiáng)的帶負(fù)載的能力,則
10、應(yīng)引入的反饋類型應(yīng)為()A電壓負(fù)反饋B電流負(fù)反饋C串聯(lián)負(fù)反饋D并聯(lián)負(fù)反饋48多級放大電路與單級放大電路相比()A電壓增益提高B電壓增益減小C通頻帶變寬D通頻帶變窄49為了盡量減小向信號源取用的信號電流,并且有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力,則多級放大器的輸入級和輸出級應(yīng)滿足的條件是()A輸入級的輸入電阻較大B輸入級的電阻越小越好C輸出級的輸出電阻要小D輸出級的輸出電阻要大50圖17所示電路中,R1所引入的反饋類型是()A電壓串聯(lián)負(fù)反饋B電壓并聯(lián)負(fù)反饋
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