圖p63是用cmos反相器接成的壓控施密特觸發(fā)器電路

1、1[題6.3]圖P6.3是用CMOS反相器接成的壓控施密特觸發(fā)器電路，試分析它的轉(zhuǎn)換電平VT、VT以及回差電壓△VT與控制電壓VCO的關(guān)系。[解]設(shè)反相器G1輸入端電壓為V1，則根據(jù)疊加定理得到312312132132132RRRRRvRRRRRVRRRRRvvOCOII???????（1）在vI升高過程中vO=0。當(dāng)升至?xí)r，THIVv??，因而得到圖P6.3??TIVvCOTHCOTHTCOTTHVRRRRRRVRRRRRRRRRRV

2、VVRRRRRVRRRRRVV31213132321213212132132132)1()(??????????????（2）在vI降低過程中。當(dāng)時(shí)，，于是可得DDVv?0THIVv????TIVvCOTHDDCOTHTDDCOTTHVRRRRRRVRRRRRRRRRRVRRRRRVVVRRRRRVRRRRRVRRRRRVV312131323213123121321312312132132132)1()(????????????????

3、??（3）（與VCO無關(guān)）DDTHTTTVRRVRRVVV21212???????[題6.4]在圖6.2.3的施密特觸發(fā)器電路中，若G1和G2為74LS系列與非門和反相器，他們的閾值電壓VTH=1.2V，R1=1KΩR2=2KΩ，二極管的導(dǎo)通壓降VD=0.7V，試計(jì)算電路的正向閾值電壓VT、負(fù)向閾值電壓VT和回差電壓△VT。[解]VVVVRRVVVVVVVVRRRVDTHTTHTDTHT25.1)7.01.121(211.135.2)7

4、.01.1221(221???????????????????[題6.5]圖P6.5是具有電平偏移二極管的施密特觸發(fā)器電路，試分析它的工作原理，并畫出電壓傳輸特性。G1、G2、G3均為TTL電路。3[題6.10]在圖P6.9的微分型單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器電路中，若G1和G2為74系列TTL門電路，它們的VOH=3.2V，VOL=1.3V，R=0.3KΩ，C=0.01μF，試計(jì)算電路輸出負(fù)脈沖的寬度。[解]由圖A6.9可見，輸出脈沖寬度等于從電容開

5、始充電到降至VTH的一段時(shí)間。電容12v充電的回路如圖A6.10所示。忽略門G2的輸出電阻R0及門G1高電平輸入電流，則充電回路可簡(jiǎn)化為R和C串聯(lián)的簡(jiǎn)單回路。從VOH（電容開始充電瞬時(shí)的值）下降至VTH的時(shí)12v12v間（也就是輸出脈沖的寬度）為ssVVRCTTHOHW?7.23.12.3ln1001.0103.0ln63???????圖A6.10[題6.13]在圖6.4.1所示的對(duì)稱式多諧振蕩器電路中，若RF1=RF2=1KΩ，C1=

6、C2=0.1μF，G1和G2為74LS04（六反相器）中的兩個(gè)反相器，G1和G2的VOH=3.4V，VTH=1.1V，VIK=1.5V，R1=20KΩ，求電路的振蕩頻率。[解]根據(jù)式（6.4.5）可知，振蕩周期為THEIKEEVVVVCRT???ln2其中????????kkRRRRRFFE95.012012011VVVVVVRRRVVBEOHCCFFOHE44.3)7.04.35(12014.3)(1???????????故得到sT4