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文檔簡介
1、1,電鍍銅技術,Date : 10.29, 2002Presented by : 唐治宇(P&D),2,? 為電鍍銅工程師提供一份基礎教材;? 集中電鍍銅工藝難點,使之得到更多成員經(jīng)驗, 以便解決問題;? 提高電鍍銅工程師的整體技術水平。,目 的,3,? 一、制作流程:--------------------------------------------- 4 ? 二、工藝原理:----------
2、----------------------------------- 5? 三、物料:--------------------------------------------------- 6? 四、操作條件:-------------------------------------------- 18? 五、機器設備:-------------------------------------------- 23? 六、制程控
3、制及接受標準:----------------------------- 31? 七、能力研究:-------------------------------------------- 33? 八、案例及缺陷分析:----------------------------------- 49,內(nèi)容簡介,4,? 內(nèi)層制作 → 鉆孔 → 除膠渣 → 沉銅 → 全板電鍍 → 圖形轉移 →
4、 圖形電鍍 → 褪膜、蝕刻、褪錫 → 綠油→ 表面處理,一、制作流程,5,? 鍍銅在PCB制造過程中,主要用于加厚孔內(nèi)化學銅層和線路銅層。 ? 陰極: Cu2++2e→Cu ?°Cu2+/Cu=+0.34V Cu2++ e →Cu+ Cu++ e →Cu ?°Cu+/Cu=+0.51V
5、 ? 陽極: Cu-2e→Cu2+ Cu- e →Cu+ 2Cu+ →Cu2++Cu 2Cu++1/2O2+2H+ →Cu2++H2O,二、工 藝 原 理,6,? 磷銅陽極:鍍液中Cu2+的來源。? 硫酸銅:鍍液主鹽。? 硫酸:增加鍍液導電性。? 氯離子:活化陽極并協(xié)同添加劑改良鍍層品質。? 添加劑:改良鍍層品質。,三、電 鍍
6、 物 料,7,磷銅陽極,? 銅陽極中為什么要含磷? ? 陽極反應機理: 陽極反應: Cu-e →Cu+(快反應) Cu+-e→Cu2+(慢反應) 上述反應原因表明:陽極溶解過程中伴隨有Cu+生成, 且Cu+存在下述反應: 2Cu+→Cu2++Cu,8,磷銅陽極,?
7、 Cu+的危害: 2Cu++H2SO4 →Cu2SO4 Cu2SO4+H2O→Cu2O(銅粉)+H2SO4 * Cu2O以電泳方式沉積在陰極表面; * Cu2O分布在陰極表面,Cu2+在其疏松晶體表面沉積,造成鍍層 不光亮、整平性差。,9,磷銅陽極,? Cu+的防止與處理方法: 采用磷銅陽極。 磷銅陽極拖缸后,1A h/L可在表面產(chǎn)生一層磷膜(主要成份為Cu
8、3P)。 Cu3P的作用: 1)催化下述反應Cu+-e→Cu2+,減少Cu+的含量; 2)阻止Cu+進入溶液,促使它進一步形成Cu2+; 3)減少微小銅晶體從陽極表面脫落。,10,磷銅陽極,? 銅陽極中含量應該是多少呢? ? 含磷量高的影響: ? 黑色磷膜過厚,銅的溶解性差,添加劑消耗多,磷膜易脫落; ? 電阻增加,電壓升高,有利H+放電,容易形成針孔
9、。,11,磷銅陽極,? 含磷量適中(0.035%~0.070%): ? 黑色磷膜較適中,且結構緊密,結合牢,不易脫落; ? 陽極泥較少。 含磷量太低(<0.005%)時,雖有黑膜生成,但太薄,效果 不理想。,12,硫酸銅/硫酸,? 電鍍液中的主鹽,提供陽極反應時的Cu2+,并通過陽極溶解獲得 Cu2+的補充。 ? 硫酸銅
10、的濃度過低,易導致高電流區(qū)燒焦,電鍍時可采用的電 流密度須減??; ? 硫酸銅的濃度過高,鍍液分散能力下降; ? 硫酸的濃度過低,溶液導電性差,鍍液分散能力差; ? 硫酸的濃度過高,降低Cu2+的遷移率,效率降低,鍍層延展性 下降。,13,氯離子,? 陽極活化劑,幫助陽極正常溶解。 ? 協(xié)同添加劑使鍍層光亮、平整; ? 降低鍍層的應力; ?
11、氯離子濃度太低,鍍層出現(xiàn)臺階狀粗糙,易出現(xiàn)針孔和燒焦; ? 氯離子濃度太高,陽極鈍化,鍍層失去光澤。,14,氯離子過高如何處理,? 沉淀法: Ag2CO3+2Cl-+2H+→2AgCl↓+H2O+CO2↑ 先分析Cl-濃度,按3g Ag2CO3:1g Cl-添加,然后用1um過濾 芯除去AgCl沉淀。? 電解法: 以鈦為陽極,以瓦楞形
12、不銹鋼板為陰極,40~50℃下,陽極 電流3~4A/dm2電解,2Cl--2e→Cl2↑。,15,添加劑,? 添加劑一般分為光澤劑與輔助劑。 ? 輔助劑一般抑制銅沉積速率,增加極化電阻,提高分布均勻性; ? 光澤劑則加速銅沉積速率,減少極化電阻,提高延展性與導電 性。 * 光澤:當金屬晶體均勻致密,規(guī)則排列時,所反射出的光線
13、 具有金屬的光澤。,16,添加劑,? 光澤劑過低的影響: 鍍層不光亮,易出現(xiàn)燒板現(xiàn)象。? 光澤劑過高的影響: 深鍍能力下降,產(chǎn)生Fold缺陷,表面變光亮。? 副產(chǎn)物的生產(chǎn)機理: RS-SR′(光劑)→ RSH+R′SH(副產(chǎn)物) 副產(chǎn)物具有更強的光劑特性,其在電鍍過程中逐漸積累,產(chǎn)生 較大的負面影響。,Cu+,17,添加劑,? 光澤劑副產(chǎn)物過高的影響: 產(chǎn)生Folds
14、缺陷,深鍍能力下降,出現(xiàn)狗骨現(xiàn)象。 鍍層表面變光亮,硬度增加,鍍層變脆,可靠性下降。? 副產(chǎn)物的除去方法: 通過碳處理,先用H2O2將副產(chǎn)物氧化,再用活性碳將其吸附 后過濾除去。,18,? 較為通用的藥水濃度控制范圍: CuSO4 60~120g/L H2SO4 90~140ml/L Cl-
15、 40~100ppm 添加劑 適量(按供應商要求) 陽極 含0.035~0.07%磷的銅球/銅條 上述參數(shù)亦需依不同供應商光劑系列作適當調整。,四、操 作 條 件,19,? 其他操作條件: 溫度 與添加劑相適應 攪拌 連續(xù)過濾,空氣攪拌
16、加陰極移動。 S陽:S陰 2:1或更高 陰極電流密度 1~3A/dm2 (與缸體設計、介質濃度及添加劑的選擇有關),操 作 條 件(續(xù)),20,操作條件的影響,? 溫度: 提高溫度,電極反應速度加快,允許電流密度提高。 溫度過高,加速添加劑分解,鍍層結晶
17、粗糙,亮度降低。 溫度太低,允許電流密度降低,高電流區(qū)易燒焦。,21,操作條件的影響,? 電流密度: 電鍍液組成,添加劑、溫度、攪拌等因素確定電流密度允許范圍。 提高電流密度可以提高沉積速度,保證鍍層質量條件下應盡量 提高電流密度,以提高生產(chǎn)效率。 鍍層厚度(25um)≈17.8ASF·h(效率以100%計) 電流密度過高時,會使鍍層結晶粗大,甚至燒焦。,22,操作條
18、件的影響,? 攪拌: 消除濃差極化,提高允許電流密度,提高生產(chǎn)效率。 通常采用空氣攪拌加搖擺(陰極移動)來實現(xiàn)。 目前尚有采用Eductor或液下噴射等方法。,23,? 電鍍銅的主要設備為:(以龍門式垂直掛鍍線為例) 鍍槽:包含陽極桿、陽極鈦籃、陰極銅座、搖擺、陽極擋板、 陰極浮夾、空氣攪拌管道、循環(huán)管道。 整流機:包含整流機到鍍槽導線,控制電路
19、。 輔助設備:循環(huán)過濾系統(tǒng),包含循環(huán)泵浦、過濾桶、連接管道、 自動添加系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)。,五、機 器 設 備,24,設備對電鍍銅品質影響,? 鍍槽: 陰陽極距離:通常為10~12″,距離較遠時對電鍍分散能力 較好,但所占空間及藥品開缸用量較大。 陽極擋板/陰極浮夾:需設計出合適尺寸,改
20、善電鍍均勻性。 攪拌:攪拌方式通常有搖擺、振動、空氣攪拌、噴射系統(tǒng)、 Eductor、超聲波等,攪拌的主要目的是提供藥水的快 速交換,減小濃差極化,提高分散能力,攪拌的強度 當然是愈強愈好,但其所付出的成本自然是越高。,25,攪拌方式的介紹,? 傳統(tǒng)方法: 垂直板面或斜向15~45°,1″~
21、3″擺幅,總擺幅據(jù)孔內(nèi)銅 離子交換來計算,通常采用1m/min,配合空氣攪拌有時會加上 振蕩或超聲波振蕩。,26,攪拌方式的介紹,? 改進方法: ? 采用噴射系統(tǒng)(如GZ Phase IV),利用高壓泵浦在缸內(nèi)靠近板 面位置(距離約為2″),以1~2kg/cm2壓力噴出鍍液,攪動鍍液, 同時配合沿板面方向搖擺,使噴射均勻。此法對于電鍍厚板及盲 孔很有幫助;
22、 ? 采用Eductor,此法是在缸底加裝喇叭形噴咀,利用噴射的鍍液帶 動缸內(nèi)鍍液,流量約增加3~4倍,可使攪拌強度成倍增加。,27,整流機,? 提供電鍍的電源 一般有兩種整流機: ? 傳統(tǒng)的直流整流機; ? 周期反向脈沖整流機。 此種整流機配合專用添加劑可大大改善電鍍的分散能力。,28,脈沖整流機,? 脈沖波形: IF:IR 一般 1:1.5~1:3
23、 TF:TR一般 10:0.5~40:2ms 反向脈沖可使高電流區(qū)域 更快溶解而低電流密度區(qū)域不受影響,從而使孔內(nèi)鍍層分布均勻, 深鍍能力提高。,波形示意圖,29,脈沖整流機,? 脈沖電鍍應用時應注意的問題: ? 脈沖整流機比較嬌貴,需注意日常保養(yǎng),各接觸點清潔, 整流機內(nèi)部溫度控制,以便獲得良好、穩(wěn)定波形; ? 脈沖電鍍需配合以特種添加劑,對不同系列添加劑有不
24、 同注意事項; ? 不同的脈沖波形對通孔、盲孔電鍍深鍍能力不同; ? 有時深鍍能力過高時會產(chǎn)生孔角銅薄等缺陷。,30,脈沖整流機,? 以Shidey PPR系列為例: 電鍍/停機狀態(tài)下,該光劑均與銅陽極產(chǎn)生分解副反應。 該副反應嚴重影響鍍層可靠性,需通過與空氣中的氧氣 發(fā)生反應后,以活性碳過濾除去。,31,? 鍍液組分測試: ? 硫酸、硫酸銅、氯離子分析方法參見實
25、驗室工作指示。 ? 添加劑一般采用CVS分析或哈氏槽法(IPC-TM-650.2. 3.21),不同系列添加劑由供應商提供相關應用程序。,六、測 試 方 法,32,? 鍍層品質測試項目: ? 鍍層均勻性; ? 深鍍能力(分散能力); ? 鍍層延展性(IPC-TM-650、2、4、18.1); ? 鍍層可靠性; Solder shock(IPC-TM-6
26、50.2.6.8D、冷熱循環(huán)沖擊(參 見Lab工作指示)、熱油測試(IPC-TM-650.2.4.6)。 ? 抗拉強度。,測 試 方 法(續(xù)),33,? 在電鍍銅中研究的主要課題是: ? 鍍層均勻性: ? 深鍍能力(Throwing Power): ? 鍍層可靠性: 以下介紹鍍層均勻性及深鍍能力。 討論:如何提高鍍層可靠性?,七、能 力 研 究,
27、34,鍍層均勻性,? 影響鍍層均勻性主要有如下因素: ? 陽極板去度應比陰極短約2~3″,防止電鍍窗底部鍍層過厚; ? 陽極上部應增加適當高度陽極擋板,防止電鍍窗頂部鍍層過厚; ? 陽極排布要均勻分布,鍍槽兩邊比陰極應略縮進,防止邊緣過厚; ? 陰極底部應裝有合適尺寸之浮夾,當生產(chǎn)不同尺寸之板時遮擋底 部電流,防止局部過厚; ? 陰極夾應均勻排布,接觸良好。,35,,深
28、鍍能力,? 影響深鍍能力的因素: ? 質量傳遞; ? 電勢差; ? 濃度超電勢; ? 鍍液極化。,36,硫酸銅含量越高,鍍液粘度越大。,深鍍能力,? 質量傳遞: ? 鍍液粘度,粘度越大,流動性越小,孔內(nèi)質量交換能力越差; ?不同硫酸銅含量的鍍液粘度:,37,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,深鍍能力,? 孔內(nèi)流動狀態(tài)分布: ? 管進
29、口段沿截面的流速分布:,38,? 管兩端壓力差與流速關系:,,,,,,,,,,,,,,,,,,,ΔP,N/m2,6×103,1×103,0.2,1.0,1.8,u(m/s),,,L=2cmd=0.5mm,,,,,,,,,,,,,,,,,,,ΔP,N/m2,6×103,1×103,0.2,1.0,1.8,u(m/s),,,L=6cm,,,L=3cm,L=1.5cm,流速u,管兩端壓力差ΔP,,管長
30、度增加流速迅速減小,深鍍能力,39,? 濃度超電勢(ηm ): ? 定義:電極表面附近溶液反應物濃度與主體溶液中反應物 濃度差引起。 Ηm=(RT/Nf)Ln(Cs/Cb),深鍍能力,40,? 電極表面附近銅離子濃度分布:,Cs—電極表面銅離子濃度。Cb—本體溶液濃度。Δ—擴散層厚度。,,,,,,,,Cb,X,C,,,Cs,電板 O,
31、δ,深鍍能力,41,? 工作電流密度與極限電流密度: i=nFD iL=nFD D—銅離子擴散系數(shù)(cm2/s),Cb-Cs,,δ,Cb,,δ,深鍍能力,42,? 濃度超電勢的上升使反應速率減慢: ? 攪拌可降低擴散層厚度,降低板面的濃度超電勢,但孔內(nèi) 的濃度超電勢并沒有得到下降; ? 降低孔內(nèi)的濃度超電勢主要通過增加陰極移動距離及頻率, 使孔內(nèi)鍍液流動加
32、強。,深鍍能力,43,? 電勢差: ? 電流通過鍍液時產(chǎn)生電勢差; ? 電勢差的影響因素: a. 難度因子L2/d:L2/d與電勢差成正比。,深鍍能力,44,b. 鍍液的電導率: ? 增大鍍液的電導率可以降低電勢差; 硫酸與電導率的關系 硫酸銅與電導率的關系,,,,,,,,,,,K (Ω·cm2),0.9,0.7,0,100,18
33、0,H2SO4,0.5,280,,,,,,,,,,,K (Ω·cm2),0.75,0.65,0,100,180,CuSO4,0.55,280,,,深鍍能力,45,c. 工作電流密度: ? 工作電流增大時,電勢差增大; ? 當工作電流降到0.5A/dm2時,電勢差已幾乎可以忽略; ? 降低電流密度可提高深鍍能力,但延長了電鍍時間,使生 產(chǎn)效率降低。,深鍍能力,46,? 鍍液極化:
34、 ? IS(表面電流)=V/(RS+RP) IH(孔內(nèi)電流)=V/(RH+RP) RP越大,IS與IH越接近,深鍍能力越好。 注:RS—表面電阻,RP—極化電阻,RH—孔內(nèi)電阻。,深鍍能力,47,? 硫酸銅的增加減小極化電阻;? Cl-增加可增加極化電阻;? 添加劑對極化的影響在于其在電極表面的吸附: a. 載運劑(Carrier)吸附在高電位區(qū),減緩銅沉積速率;
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