22型cofe2o4pb(zr0.52ti0.48)o3磁電

1、2 ．2 型C o F e 2 0 4 ．P b ( Z r o ．5 2 T i o ．4 8 ) 0 3 磁電復(fù)合薄膜的制備與性能研究R e s e a r c ho nP r e p a r a t i o n a n d P r o p e r t i e s o fC o F e 2 0 4 ．P b ( Z r o ．5 2 T i o ．4 8 ) 0 3C o m p o s i t e F i l m so f 2 -

2、 2 T y p e S t r u c t u r e作者姓名 學(xué)位類型 學(xué)科、專業(yè) 研究方 向?qū)熂奥毞Q2 0 1 1 年4 月獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標(biāo)志和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得金照王些太堂 或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的

3、說明并表示謝意。·一'學(xué)位論文作者簽字： 討 柱濤 簽字日期：場』i | F 學(xué)Z 妒學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解金目巴工些太堂有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱或借閱。本人授權(quán)金g 墾王些太堂一可以將學(xué)位論文的全部或部分論文內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。( 保密的學(xué)位論文在解密后適用本授