模擬電子技術基礎總結

1、模擬電子技術基礎總結 模擬電子技術基礎總結本頁是..最新發(fā)布的《模擬電子技術基礎總結》的具體..文章，感覺很有用處，看完假如覺得有關心請記得保藏本頁。 篇一：模擬電子技術基礎總結第一章 晶體二極管及應用電路 一、半導體學問 1．本征半導體 ·單質半導體材料是具有 4 價共價鍵晶體結構的硅（Si）和鍺（Ge） （圖 1-2） 。前者是制造半導體 IC 的材料（三五價化合物**化鎵 GaAs 是微波毫米波半導體器件和 IC的重要

2、材料） 。 ·純潔（純度 7N）且具有完整晶體結構的半導體稱為本征半導體。在肯定的溫度下，本征半導體內(nèi)的最重要的物理現(xiàn)象是本征激發(fā)（又稱熱激發(fā)或產(chǎn)生） （圖 1-3） 。本征激發(fā)產(chǎn)生兩種帶電性質相反的載流子——自由電子和空穴對。溫度越高，本征激發(fā)越強。 ·空穴是半導體中的一種等效?q 載流子。空穴導電的本質是價電子依次填補本征晶格中的空位，使局部顯示?q 電荷的空位宏觀定向運動（圖 1-4） 。 ·在肯定的

3、溫度下，自由電子與空穴在熱運動中相遇，使一對自由電子和空穴消逝的現(xiàn)象稱為載流子復合。復合會形成一個特別的薄層——PN 結（圖 1-8） 。·PN 結是非中性區(qū)（稱空間電荷區(qū)） ，存在由 N 區(qū)指向 P 區(qū)的內(nèi)建電場和內(nèi)建電壓；PN 結內(nèi)載流子數(shù)遠少于結外的中性區(qū)（稱耗盡層） ；PN 結內(nèi)的電場是阻擋結外兩區(qū)的 1 多子越結集中的（稱勢壘層或阻擋層） 。 ·正偏 PN 結（P 區(qū)外接高于 N 區(qū)的電壓）有隨正偏電壓指數(shù)

4、增大的電流；反偏 PN 結（P 區(qū)外接低于 N 區(qū)的電壓） ，在使 PN 結擊穿前，只有其值很小的反向飽和電流 IS。即PN 結有單向導電特性（正偏導通，反偏截止） 。 v/V ?1)，其中，在 T=300K 時，熱電壓 VT?26mV。·PN 結的伏安方程為：i?IS(e T ?? ·非對稱 PN 結有 PN 結（P 區(qū)高摻雜）和 PN 結（N 區(qū)高摻雜） ，PN 結主要向低.寫作 摻雜區(qū)域延長（圖 1-9） 。