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文檔簡介
1、自旋轉(zhuǎn)移力矩是繼巨磁電阻之后自旋電子學的又一重要發(fā)現(xiàn),基于此效應可以實現(xiàn)電流對局域磁矩或自旋方向的控制,是目前基于自旋電子學原理構建新一代高效率、低能耗、非易失磁性存儲器的核心技術。因此掌握磁性與非磁性異質(zhì)或多層結構中自旋轉(zhuǎn)移矩的物理特性并實現(xiàn)人為操控,是目前自旋電子學領域內(nèi)的前沿問題。因此,本論文以經(jīng)典的自旋閥多層膜結構為研究對象,通過對自旋閥中各向異性磁電阻與巨磁電阻在微波磁場和自旋轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動下的自旋整流強度的空間關系以及線型的研
2、究,獲得了在此類結構中自旋轉(zhuǎn)移力矩的物理特性,主要結論如下:
1.建立了自旋閥結構的自旋整流理論?;诮?jīng)典的自旋整流理論獲得了自旋閥中巨磁電阻與各向異性磁電阻機制在微波磁場和自旋轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動下整流強度隨空間的變化規(guī)律以及共振峰的對稱線型。其中微波磁場驅(qū)動的共振線型為反對稱線型,自旋轉(zhuǎn)移力矩中的垂直分量驅(qū)動的共振線型也為反對稱線型,而平行分量驅(qū)動的共振線型為對稱線型。
2.依據(jù)各種效應空間對稱性的不同,獲得了自旋轉(zhuǎn)移力
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