磁隧道結自旋轉移矩磁存儲器的動態(tài)特性研究.pdf

1、基于自旋轉移矩效應的新一代非易失性磁存儲器融合了動態(tài)存儲器的低成本、靜態(tài)存儲器的高速讀寫性能、閃存的非易失性三者的優(yōu)勢，并且可以彌補第一代磁電阻式存儲技術的主要缺點，滿足了人們對信息存儲器件的高密度、大容量、高速度、低成本和微小型化等眾多要求，因而成為未來固態(tài)多用途數據存儲器件的強有力的候選者。隨著磁性隧道結制作工藝的快速發(fā)展，研究磁隧道結自旋轉移矩磁存儲器在尺寸進一步減小、具有良好熱穩(wěn)定性等條件下如何改善磁矩的動態(tài)特性，如降低寫入電流

2、密度、提高翻轉速度，是十分迫切的需要，而且具有重要意義。
　　本文基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程的宏自旋模型的模擬，對磁隧道結結構的自旋轉移矩磁存儲器的動態(tài)特性進行了研究，具體工作如下:
　　1.詳細介紹了描述磁矩進動理論模型的發(fā)展，并給出各動態(tài)方程的推導。特別對宏自旋模型中包含的每一項給出物理解釋。
　　2.研究了在自由層厚度影響下的界面垂直各向異性和初始磁

3、矩偏角，對水平CoFeB/MgO磁隧道結閾值翻轉電流密度、翻轉時間動態(tài)特性的影響。結果顯示，由于界面垂直各向異性隨著自由層厚度的減小而增大，閾值翻轉電流密度和翻轉時間會明顯的降低，當磁矩的偏角隨厚度的減小而增大時，翻轉的動態(tài)特性會進一步優(yōu)化，在閾值翻轉電流密度和翻轉時間上都有體現。
　　3.研究了磁隧道結結構中類場自旋轉移矩項對磁矩翻轉動態(tài)特性的影響。結果顯示，類場自旋轉移矩項與Slonczewski項相同正負變化時，類場自旋轉移