基于TMR效應的磁隨機存儲器存儲單元制備工藝研究.pdf

1、磁隨機存儲器MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性存儲器,其原理是利用TMR或GMR的高和低兩種電阻穩(wěn)態(tài)進行信息的存儲。MRAM作為一種新型的數(shù)據(jù)存儲器,與其他隨機存儲器相比具有許多明顯的優(yōu)勢:高的集成度、高速讀取寫入能力、重復可讀寫次數(shù)近乎無窮大、低功耗和高抗輻射能力以及最為突出的非易失性。它的應用會開啟固態(tài)數(shù)據(jù)信息存儲技術(shù)的新時代。
　　本文重點研究基于TMR效應的磁隨機存儲器存儲單元結(jié)

2、構(gòu)的微納米制備工藝。論文首先介紹了磁隨機存儲器存儲單元功能層材料的選擇,隨后介紹了其存儲單元的常用工藝制備方法,并根據(jù)實驗的需要對其TMR單元結(jié)構(gòu)加以改進,設(shè)計了新的單元結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上,并結(jié)合實驗室條件,設(shè)計了本研究擬采用的工藝制備方法,在經(jīng)過反復實驗后總結(jié)出最佳工藝制備流程。通過微納米制造平臺進行工藝制備,對制作出的樣品進行物理特性測試發(fā)現(xiàn)每個單元都產(chǎn)生了明顯的TMR效應,且磁阻變化率在9％～17%,測試結(jié)果表明工藝在實驗上是成功的