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1、相變存儲器PCRAM(phasechangerandomaccessmemory)是一種以硫系化合物為存儲介質(zhì)的隨機存儲器。其利用電能使材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互變換實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與擦除。相比現(xiàn)存的其他類型存儲器,相變存儲器具有非易失性、循環(huán)壽命長、元件尺寸小、功耗低、多級存儲特點,在數(shù)據(jù)讀寫速度﹑可擦寫次數(shù)﹑讀取方式﹑工作電壓以及工藝兼容性等各項性能指標上有著獨特的優(yōu)勢?；谄涓鞣矫鎯?yōu)勢,相變存儲器被認為是下一代存儲器的主流產(chǎn)品。 2、r> PCRAM的研究過程中遇到的最大問題便是操作電流過大。為了改善寫信息脈沖電流過高制約相變隨機存儲器實用化的狀況,本文在運用有限元分析軟件ANSYS模擬計算和對比了傳統(tǒng)T型結(jié)構(gòu)和非對稱結(jié)構(gòu)的熱學(xué)性能和電學(xué)性能之后,得到非對稱結(jié)構(gòu)的寫電流要優(yōu)于前者的結(jié)論。在此基礎(chǔ)上本文設(shè)計相變存儲器五層非對稱結(jié)構(gòu)的基本單元,運用光刻、濺射以及剝離等工藝實現(xiàn)了器件單元的制備。
測試結(jié)果表明,采用光刻、濺射以及剝離等工藝制備的相變存儲器五層非
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