全功能相變存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)及后集成工藝研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩63頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、相變存儲(chǔ)器以其讀寫(xiě)速度快、功耗低、存儲(chǔ)密度高、抗疲勞特性好、與CMOS工藝兼容、抗輻射等特點(diǎn)成為下一代非易失性存儲(chǔ)器的有力競(jìng)爭(zhēng)者。本文介紹了一款全功能相變存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)和制備。本文從芯片總體設(shè)計(jì)構(gòu)架著手，分析了陣列控制晶體管的設(shè)計(jì)原則，介紹了寫(xiě)電路、讀電路、邏輯控制模塊和輸入/輸出端口控制模塊的工作原理和優(yōu)化方法。采用了一種偏置可調(diào)型的讀寫(xiě)電路。采用SMIC 代工廠的0.35微米和0.18 微米工藝實(shí)現(xiàn)了該外圍電路IC 設(shè)計(jì)。寫(xiě)電路產(chǎn)

2、生的RESET 脈沖幅值范圍是0~4mA、SET 脈沖幅值范圍是0~2 mA；讀電路將相變單元的電阻信息轉(zhuǎn)變成0、1 邏輯信號(hào)輸出，讀出延時(shí)減小到9ns。
　　 本文設(shè)計(jì)了相變單元結(jié)構(gòu)和制備工藝，并實(shí)現(xiàn)了CMOS 電路和相變存儲(chǔ)單元陣列的有效集成。在傳統(tǒng)對(duì)稱(chēng)型相變單元結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，本文提出了一種上、下接觸電極在水平方向上相切的非對(duì)稱(chēng)T型結(jié)構(gòu)相變單元，采用了Ge2Sb2Te5和超晶格相變材料，并用剝離工藝實(shí)現(xiàn)了該結(jié)構(gòu)相變單元的制備。

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論