相變隨機(jī)存儲(chǔ)器電特性測(cè)試方法研究.pdf

1、作為目前最有可能取代FLASH 成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)上下一代主流產(chǎn)品的相變隨機(jī)存儲(chǔ)器，在近段時(shí)間獲得了迅猛的發(fā)展。相比其他市場(chǎng)上的主流存儲(chǔ)器，相變存儲(chǔ)器有著非易失性、快擦寫(xiě)速度、高可靠性、低功耗、長(zhǎng)壽命、與CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)。
　　 然而，在相變存儲(chǔ)器飛速發(fā)展的同時(shí)，相變存儲(chǔ)器的相關(guān)測(cè)試技術(shù)也面臨了巨大的挑戰(zhàn)，適用于相變存儲(chǔ)器特性的測(cè)試系統(tǒng)和測(cè)試方法也隨之成為焦點(diǎn)。基于這一點(diǎn)，本文研制了一套相變存儲(chǔ)器電特性測(cè)試系統(tǒng)來(lái)測(cè)試相變存儲(chǔ)器

2、的相關(guān)電特性，該系統(tǒng)由皮秒脈沖發(fā)生器、半導(dǎo)體特性測(cè)試儀、微控探針臺(tái)、射頻/直流探針、射頻電纜以及6G 示波器組成。
　　 相變存儲(chǔ)器的寫(xiě)入、擦除、讀出操作可以通過(guò)脈沖發(fā)生器產(chǎn)生不同幅度和寬度的激勵(lì)脈沖來(lái)實(shí)現(xiàn)。本文基于相變存儲(chǔ)器的工作原理，在自主研制的測(cè)試平臺(tái)的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一系列的相變存儲(chǔ)單元電特性的測(cè)試方案，包括I-V/V-I特性測(cè)試、重復(fù)性測(cè)試、寫(xiě)脈沖初始條件測(cè)試、擦脈沖初始條件測(cè)試、穩(wěn)定性測(cè)試、疲勞特性測(cè)試，高速相變存儲(chǔ)器