2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、DRAM產(chǎn)品被視為半導(dǎo)體工業(yè)的技術(shù)引擎,因此,高質(zhì)量的測(cè)試策略顯得尤為重要。BIST(Built-In Self-Test,內(nèi)建自測(cè)試)作為一種可以全速測(cè)試的DFT(Design For Testability,可測(cè)性設(shè)計(jì))解決方案被廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)器測(cè)試。March測(cè)試算法因其較高的故障覆蓋率及較低的復(fù)雜度而成為存儲(chǔ)器測(cè)試的常用算法。
　　本文在認(rèn)真研究了DRAM故障模型和March算法的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了兩種指令編碼規(guī)則,一種是為了

2、實(shí)現(xiàn)對(duì)面向DRAM特有故障的測(cè)試算法的編碼,另一種則是為了實(shí)現(xiàn)對(duì)面向存儲(chǔ)器普通故障的測(cè)試算法的編碼。
　　本文設(shè)計(jì)了一種基于指令的DRAM BIST控制器,該控制器能夠兼容兩種指令編碼,以滿足對(duì)DRAM中特有故障和存儲(chǔ)器普通故障的測(cè)試。它有四種工作模式,每種工作模式適合不同的測(cè)試要求。
　　為了支持不同算法及不同類型DRAM的測(cè)試,本文以DRAM BIST控制器為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)了一個(gè)DRAM BIST IP核自動(dòng)生成系統(tǒng),該系統(tǒng)能

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