硫族化合物隨機(jī)存儲器驅(qū)動電路設(shè)計.pdf

1、硫族化合物隨機(jī)存儲器CRAM由于具有高讀寫速度、多擦寫次數(shù)、非易失性、高密度、小尺寸、低功耗和低成本等優(yōu)點，被認(rèn)為是最有可能取代目前市場主流產(chǎn)品閃存等存儲器的一種新型存儲器，并將在計算機(jī)、移動通訊等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
　　 本課題的目的是設(shè)計一種能實現(xiàn)CRAM的讀、擦、寫三種操作的電流脈沖驅(qū)動電路，用它控制4Mb的CRAM的存儲元GST從晶態(tài)到非晶態(tài)的相互轉(zhuǎn)化，并能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動電路對存儲陣列的尋址，以及模擬CRAM的讀擦寫操作。本論

2、文首先從CRAM的基本工作原理入手，根據(jù)CRAM的功能和性能要求，建立CRAM系統(tǒng)的驅(qū)動電路的工作模塊，包括脈寬調(diào)制單元PWM、讀擦寫電流源模塊、相態(tài)識別器、二級譯碼器等，然后通過具體的電路設(shè)計實現(xiàn)各工作模塊，并從理論和仿真上分析各電路模塊的性能，最后對整個CRAM系統(tǒng)驅(qū)動電路進(jìn)行整體仿真和分析，驗證系統(tǒng)的電路性能。通過Multisim軟件仿真結(jié)果顯示，讀擦寫脈沖幅度分別為1.0V、1.45V和2.45V，對應(yīng)的脈寬分別為40ns、50