阻變存儲器外圍電路設(shè)計.pdf

1、隨著便攜設(shè)備如手機(jī)、平板電腦等設(shè)備的興起，集成電路產(chǎn)業(yè)得到了前所未有的發(fā)展機(jī)會。得益于電子產(chǎn)品性能的不斷提升，它們在人們生活中扮演的角色越來越重要，方便了人們的生活和工作。但便攜式電子產(chǎn)品的體積和續(xù)航時間一直是制約它進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。由于電子產(chǎn)品的功能實際上是信息的存儲和傳輸，對于低功耗、高密度的存儲器需求日益強烈，所以說現(xiàn)代科技對于存儲技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。本文依托于國家“863”高技術(shù)研究發(fā)展計劃，對新興的阻變存儲器進(jìn)行了的探討與研究

2、。
　　通過比較幾種現(xiàn)代主流新型非揮發(fā)型存儲器的優(yōu)缺點，選擇阻變存儲器這種具有廣泛應(yīng)用前景的新存儲技術(shù)作為研究對象。為了降低阻變存儲器的電源電壓和功耗，從而提高阻變存儲器外圍電路的可靠性，本文結(jié)合國內(nèi)外在阻變存儲器方面的最新的研究成果，對于這種新型的存儲技術(shù)尤其是外圍電路做了深入的研究。
　　首先對阻變存儲技術(shù)原理、基本架構(gòu)和讀寫機(jī)制進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，針對阻變存儲器的存儲特性，對阻變存儲器外圍電路中關(guān)鍵的模塊進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計，

3、具體包括寫電路、Verify電路、靈敏放大器、帶隙基準(zhǔn)源電路等。由于在存儲器芯片中，存儲單元的面積直接決定著芯片的整體面積，所以在該設(shè)計中，通過兩個存儲單元共用同一源線的辦法，使芯片的面積降低了將近50％;因為阻變存儲單元中的電阻容易受到較高寫電壓的損害而誤寫，設(shè)計出新型的Verify電路結(jié)構(gòu)，確定合適的寫入電壓，成功的降低了阻變存儲器誤寫的概率;針對阻變存儲器為單端讀出的特點，設(shè)計出適用于RRAM的單端式靈敏放大器結(jié)構(gòu)，增加了讀出電路