阻變存儲(chǔ)器RESET機(jī)制溫度依賴研究.pdf_第1頁(yè)
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1、智能手機(jī)和平板電腦的高速發(fā)展使得高速、大容量的非揮發(fā)存儲(chǔ)器需求提高，而Flash因?yàn)椴僮麟妷焊?，讀寫速度不快而且Scaling將要到達(dá)極限將不能滿足未來(lái)的要求。目前研究人員正在開發(fā)的新型非揮發(fā)存儲(chǔ)器主要有鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)，磁存儲(chǔ)器(MRAM)，相變存儲(chǔ)器(PRAM，PCRAM)以及阻變存儲(chǔ)器(RRAM)。
　　阻變存儲(chǔ)器(Resistance switching RAM)具備操作電壓低，操作時(shí)間短，單元面積小等優(yōu)點(diǎn);基于金

2、屬氧化物的阻變存儲(chǔ)器由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、與邏輯工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是最具潛力的下一代非揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)。由于阻變存儲(chǔ)器的巨大潛力，其日益引起人們的重視。在對(duì)阻變存儲(chǔ)器的阻變機(jī)制研究方面，導(dǎo)電細(xì)絲理論是最為廣泛接受的，但導(dǎo)電細(xì)絲的生長(zhǎng)和斷裂具體的物理過(guò)程仍不明確。
　　本文研究了基于原子層淀積生長(zhǎng)的NbAlO薄膜的阻變存儲(chǔ)器和基于原子層淀積生長(zhǎng)的HfAlO薄膜的阻變存儲(chǔ)器的材料特性，測(cè)量了其在低溫下的電學(xué)特性。在實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上，基于導(dǎo)電細(xì)絲

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