納米結(jié)構(gòu)阻變存儲器的制作與性能研究.pdf

1、阻變存儲器（RRAM）是一種新型的非揮發(fā)性隨機存儲器，它在傳統(tǒng)的存儲器基礎上進行改進，不僅提高了器件的存儲密度，大大的降低了其制造成本，并能與集成電路工藝更好的兼容。本文利用材料在納米尺度下具有特殊性能的特點，對p型硫氰酸亞銅、n型氧化鋅、聚甲基丙烯酸甲酯、金屬鐵納米顆粒鑲嵌非晶納米氧化鋁這4種材料的阻變性能展開了深入的研究，主要結(jié)論如下：
　　1．利用電化學沉積的方法在ITO導電玻璃片上制備了空心三角錐狀的硫氰酸亞銅薄膜，實驗結(jié)

2、果表明，得到空心形貌的最佳的沉積條件為：頻率1KHz，低電壓為300 mV、高電壓為900 mV的脈沖電壓，電解液組成為0.01 mol/L的CuSO4+0.05 mol/L的KSCN+0.1 mol/L的ETA，沉積時間10分鐘。將其構(gòu)筑成電阻開關器件后，通過施加交流電壓、單方向的電壓和直流脈沖電壓等不同類型的外加電場發(fā)現(xiàn)，硫氰酸亞銅器件具有信息存儲的功能，并提出了空間電荷極化效應機制來解釋該現(xiàn)象。
　　2.設計了CuSCN/P

3、MMA/ZnO（p-i-n）三明治型阻變存儲器。當外加電場作用在由p-CuSCN和n-ZnO構(gòu)成的p-n結(jié)上時，器件僅僅表現(xiàn)出整流效應，而加入PMMA后，器件表現(xiàn)為穩(wěn)定的雙極性電阻開關效應。最終分析得出，由于PMMA的加入，器件的耗盡區(qū)增加，且在外加電場作用下，ZnO和CuSCN中的陷阱會發(fā)生填充和排空，ZnO和CuSCN之間就發(fā)生量子隧穿效應。
　　3．采用以表面活性劑的自組裝體系為模板的均相沉淀法制備了金屬鐵納米顆粒鑲嵌非晶納