三維垂直結(jié)構(gòu)阻變存儲器架構(gòu)和電路關(guān)鍵問題研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路需要處理數(shù)據(jù)量的不斷增加，數(shù)據(jù)的存儲變得異常重要，對分立式高密度存儲器的市場需求也越來越大。目前較為成熟的分立式高密度存儲技術(shù)是NAND Flash(閃存)，但由于Flash有著微縮瓶頸，不能很好的隨工藝代發(fā)展而不斷微縮。因此急需一種新型高密度存儲器來滿足日趨強烈的高容量存儲需求。
　　RRAM（阻變存儲器）存儲介質(zhì)一般是金屬氧化物，工藝制造簡單，有著很好的隨工藝代不斷微縮的優(yōu)勢，已成為業(yè)內(nèi)專家們的研究熱點。為了與三維

2、NANDFlash在存儲密度上相競爭，三維垂直結(jié)構(gòu)RRAM(3D Vertical RRAM)被提出，但3D Vertical RRAM仍存在許多待解決問題:高密度架構(gòu)的確定，大IR Drop(電壓降)問題，Disturbance問題，大陣列過長選通延時問題，功耗問題等。
　　本文針對其存在的這些問題進行了詳細分析，并提出了相應(yīng)解決方案。提出低IR Drop的3D Shunting Vertical RRAM架構(gòu)，采用并行操作方式

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