相變隨機(jī)存儲(chǔ)器的器件設(shè)計(jì)與軟件實(shí)現(xiàn).pdf_第1頁(yè)
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1、隨著摩爾定律的不斷推進(jìn),集成電路工藝尺寸已經(jīng)進(jìn)入納米時(shí)代。在越來(lái)越小的單元尺寸下,Flash技術(shù)已逐漸不能滿足需求,而最有可能成為下一代非易失性存儲(chǔ)器的PCRAM也面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。ITRS在2009年報(bào)告中指出,22nm特征尺寸以下器件形貌的控制將是一大難題,側(cè)墻角在工藝和器件設(shè)計(jì)中越來(lái)越受到重視,但它對(duì)相變存儲(chǔ)器器件性能的影響還未見(jiàn)系統(tǒng)研究的報(bào)道。
　　本文從相變存儲(chǔ)器器件設(shè)計(jì)出發(fā),以confined型單元結(jié)構(gòu)為模型,模擬了R

2、eset過(guò)程中側(cè)墻角對(duì)器件動(dòng)態(tài)性能的影響:研究了固定結(jié)構(gòu)尺寸下,側(cè)墻角從90°變化到85°對(duì)峰值溫度、焦耳熱體積、潛熱、動(dòng)態(tài)電阻、相轉(zhuǎn)變速度等的影響,得出了一些結(jié)論并進(jìn)行了分析,說(shuō)明了側(cè)墻角在器件設(shè)計(jì)中的重要性;研究了特征尺寸等比例縮小時(shí)側(cè)墻角對(duì)閾值電流的影響,以及不同特征尺寸下高寬比對(duì)閾值電流的影響;最后通過(guò)數(shù)學(xué)推導(dǎo)建立了側(cè)墻角關(guān)于confined單元的數(shù)學(xué)模型,能夠很好的解釋側(cè)墻角對(duì)器件性能的影響。
　　為了有效的設(shè)計(jì)相變存儲(chǔ)

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