0.13μm堆疊式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器光刻工藝優(yōu)化的研究_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、目錄摘要…Abstract...................……O二..................……......................……..……..…….....……..………3第一章堆疊式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Stack第一節(jié)什么是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器二DRAM)的簡(jiǎn)介....……5......……︸、︺......第二節(jié)堆疊式DRAM與溝槽式DRAM的比較.….…..…….….…第三節(jié)光刻工藝的介紹……7第四節(jié)光刻技術(shù)的

2、發(fā)展……6第二章工藝中層與層對(duì)準(zhǔn)精度的提升……O第一節(jié)工藝過(guò)程中各層之間對(duì)準(zhǔn)原理，……O第二節(jié)影響精確套準(zhǔn)的因素……4第三節(jié)優(yōu)化套準(zhǔn)和量測(cè)標(biāo)記的質(zhì)量來(lái)提升對(duì)準(zhǔn)精度……5第三章工藝中BitLine圖形倒塌(Peeling)問(wèn)題的解決…，…，……8第一節(jié)工藝中BitLine圖形倒塌問(wèn)題的描述……8第二節(jié)造成BitLine圖形倒塌的原因分析……8第三節(jié)針對(duì)這種工藝缺陷的解決方法……9第四章存儲(chǔ)單元內(nèi)輕摻雜layerCLD掩蔽失效問(wèn)題的解決……

3、33第一節(jié)CLD(CelLightlyDoPing)掩蔽失效問(wèn)題的描述……33第二節(jié)CLD掩蔽失效形成的原因分析……34第三節(jié)通過(guò)工藝的優(yōu)化解決問(wèn)題……7第五章曝光單元內(nèi)的固定某一欄圖形發(fā)生(Bycofuln)偏焦問(wèn)題的解決…9第一節(jié)曝光單元內(nèi)的固定某一欄圖形發(fā)生偏焦問(wèn)題的描述……39第二節(jié)曝光單元內(nèi)的固定某一欄圖形發(fā)生偏焦問(wèn)題的形成原因……9第三節(jié)曝光單元內(nèi)的固定某一欄圖形發(fā)生偏焦問(wèn)題的解決方法……40第四節(jié)PSFM新的焦距偏差監(jiān)測(cè)系

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