深亞微米光刻工藝中套刻優(yōu)化方法的應(yīng)用研究.pdf_第1頁(yè)
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1、光刻工藝作為半導(dǎo)體制造技術(shù)的核心工藝,是整個(gè)IC制造技術(shù)向前發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。隨著IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入22nm時(shí)代,不斷縮小的工藝尺寸對(duì)光刻套刻性能提出了非常高的要求。對(duì)于一些產(chǎn)品的關(guān)鍵工藝層,2-3nm的套刻偏差,將導(dǎo)致芯片性能直接下降甚至失效。因此,優(yōu)化光刻套刻性能,是研究光刻工藝的重要課題之一。
  本文從套刻工藝的原理及應(yīng)用入手,結(jié)合實(shí)際的工藝測(cè)試數(shù)據(jù),闡明了套刻工藝對(duì)產(chǎn)品良率的影響,同時(shí)也體現(xiàn)了套刻優(yōu)化需求的迫切性。然后,通過(guò)魚(yú)骨分

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