光刻工藝中對線寬和套刻系統(tǒng)性控制的開發(fā).pdf

1、從第一個晶體管問世算起，半導體技術的發(fā)展已有多半個世紀了，現(xiàn)在它仍保持著強勁的發(fā)展態(tài)勢，繼續(xù)遵循Moore定律即芯片集成度18個月翻一番。在新的一個世紀里半導體產(chǎn)業(yè)已被定為中國的支柱產(chǎn)業(yè)。中芯國際(SMIC)以如此大的規(guī)模，且起步就以0.25微米作為制造工藝基礎的集成電路制造企業(yè)在國內(nèi)也屬于首家?，F(xiàn)在公司已在北京和上海建成國內(nèi)最先進的300毫米晶片生產(chǎn)線，并且采用當前世界最先進的0.09微米制造工藝。
　　 光刻技術在半導體制造

2、業(yè)中起著舉足輕重的作用。光刻工藝通常指采用照相復印的方法將光刻掩模的圖形精確地復印到涂有待刻蝕材料表面的光刻膠上面。在集成電路制造過程中需要經(jīng)過多次光刻，所以光刻質(zhì)量是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素之一，而線寬、套刻等的控制又是光刻質(zhì)量的關鍵之關鍵。本課題就是以半導體制造這個大的環(huán)境為背景，介紹在半導體制造行業(yè)中如何對線寬、套刻等進行系統(tǒng)性的控制。
　　 本論文首先介紹了光刻技術的發(fā)展和趨勢，接著介紹了光刻制造工藝流