非對(duì)稱納米接觸相變存儲(chǔ)器單元制備工藝研究.pdf

1、相變存儲(chǔ)器具有非易失性、存儲(chǔ)密度高、擦寫速度快、可靠性高、抗輻射等性能優(yōu)勢，被認(rèn)為最有可能取代Flash成為下一代主流非易失性存儲(chǔ)器。對(duì)于相變存儲(chǔ)器來說，目前影響其發(fā)展的最大瓶頸即編程脈沖過大，導(dǎo)致器件功耗過大。因此，研究如何減小相變存儲(chǔ)器的編程脈沖就顯得非常重要。本文從相變存儲(chǔ)器器件結(jié)構(gòu)出發(fā)，通過對(duì)相變存儲(chǔ)器工藝的研究，成功制備出一種非對(duì)稱納米接觸相變存儲(chǔ)器單元，其相對(duì)于傳統(tǒng)T型結(jié)構(gòu)能有效地減小相變存儲(chǔ)器單元的編程脈沖。
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2、文首先研究了傳統(tǒng)T型結(jié)構(gòu)相變存儲(chǔ)器單元的制備工藝，運(yùn)用Lift-off工藝，通過光刻、濺射、剝離等工藝手段，成功制備出特征尺寸為3μm的T型結(jié)構(gòu)相變存儲(chǔ)器單元。同時(shí)基于對(duì)傳統(tǒng)T型結(jié)構(gòu)的優(yōu)化和改進(jìn)，結(jié)合非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，創(chuàng)新性地提出一種非對(duì)稱納米接觸結(jié)構(gòu)，并完成其單元的制備，成功將相變存儲(chǔ)器單元下電極與相變材料的接觸線寬減小至24.1nm，極大地減小了下電極與相變材料的接觸面積。對(duì) T型及非對(duì)稱納米接觸兩種結(jié)構(gòu)相變存儲(chǔ)器單元的測試表明，非對(duì)稱納