相變存儲單元多值存儲的仿真研究.pdf

1、隨著智能移動終端的崛起,消費市場需要集成度高、速度快、容量大的存儲芯片。以Flash為代表的傳統(tǒng)固態(tài)存儲芯片逐漸面對微縮工藝降低可靠性等方面的問題。因此,新型存儲器日益成為研發(fā)焦點,其中相變隨機(jī)存儲器以其讀寫速度快、讀寫次數(shù)高、微縮特性好、數(shù)據(jù)保存時間長等優(yōu)勢而成為下一代主流存儲器技術(shù)之一。
　　本文主要研究相變隨機(jī)存儲器存儲單元的多值存儲機(jī)理,研究了多值存儲過程中器件物理性質(zhì)及相變過程,并對其進(jìn)行量化及仿真計算。根據(jù)有限元法,仿

2、真系統(tǒng)將主方程與材料參數(shù)結(jié)合,建立仿真模型,編制了仿真計算程序?；诜怠⒚}寬以及連續(xù)脈沖的電脈沖控制存儲單元和存儲單元總電阻判斷存儲效果的研究思路,對單個存儲單元的多值存儲控制方法、多值存儲過程、制程變差的影響以及數(shù)據(jù)保存時間方面進(jìn)行了較全面的多值分析,研究了單元內(nèi)部相變層相態(tài)分布及溫度變化趨勢,制程變差影響與相變材料自發(fā)晶化影響下的多值存儲狀態(tài)穩(wěn)定性。
　　仿真實驗結(jié)果表明,相變存儲單元可通過單電脈沖控制幅值、脈寬的方式或連續(xù)