金屬納米晶非揮發(fā)存儲器存儲特性的模擬.pdf

1、當集成電路生產(chǎn)工藝節(jié)點進入50nm以下，傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的編程擦除速度和數(shù)據(jù)保持能力已經(jīng)無法同時滿足非揮發(fā)存儲應(yīng)用的要求。金屬納米晶存儲器具有更高的速度和更好的可靠性，它將成為一種下一代浮柵結(jié)構(gòu)非易失存儲器件的有力替代者。因此有必要全面研究影響金屬納米晶非揮發(fā)存儲器存儲特性的因素。本文的研究為金屬納米晶存儲器代替?zhèn)鹘y(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)完善了理論依據(jù)。 本文從金屬浮柵結(jié)構(gòu)電容模型計算、TCAD軟件仿真和數(shù)據(jù)保持能力建模三方面對金屬納米晶存儲器存

2、儲特性進行了研究。首先，從器件的電容模型出發(fā)，分析了影響器件編程擦除速度的因素。其次，利用TCAD軟件SILVACO/ATLAS仿真金屬納米晶存儲器件編程擦除特性。最后，在綜合考慮量子限制和庫倫阻塞兩種效應(yīng)的基礎(chǔ)上，建立并驗證了金屬納米晶數(shù)據(jù)保持能力的數(shù)學(xué)分析模型。 研究結(jié)果表明： （1）增大浮柵功函數(shù)對不影響器件的編程速度，會減小器件的擦除速度，提高器件的數(shù)據(jù)保持能力。 （2）增大控制柵功函數(shù)會減小器件的編程速度，